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JMTL850P04A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 20V 573pF@20V SOT-23
供应商型号: JMTL850P04A
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
JJW/江苏捷捷微电子 场效应管(MOSFET) JMTL850P04A

JMTL850P04A概述

    # JMTL850P04A P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    JMTL850P04A 是由捷捷微电子有限公司生产的一款P沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件主要用于PWM(脉宽调制)应用、负载开关以及电源管理等领域。其紧凑的SOT-23封装使得它非常适合空间受限的应用场合。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - VDSS(漏源电压): -40 V
    - VGSS(栅源电压): ±20 V
    - ID(连续漏极电流):
    - TA = 25°C时: -5 A
    - TA = 100°C时: -3.3 A
    - IDM(脉冲漏极电流): 20 A
    - PD(功率耗散): TA = 25°C时为 3.8 W
    - RθJA(热阻,结至环境): 32.9 °C/W
    - TJ, TSTG(工作及存储温度范围): -55 至 +150 °C
    电气特性
    - V(BR)DSS(漏源击穿电压): VGS=0V, ID=-250μA 时 -40 V
    - IDSS(零栅电压漏极电流): VDS=-40V, VGS=0V 时 -1 μA
    - IGSS(栅体泄漏电流): VDS=0V, VGS=±20V 时 - ±100 nA
    - VGS(th)(栅阈值电压): VDS=VGS, ID=-250μA 时 -1.0 至 -2.5 V
    - RDS(on)(静态漏源导通电阻):
    - VGS=-10V, ID=-3A 时: 70 至 90 mΩ
    - VGS=-4.5V, ID=-2A 时: 90 至 125 mΩ
    - Ciss(输入电容): VDS=-20V, VGS=0V, f=1.0MHz 时: 573 pF
    - Coss(输出电容): - 53 pF
    - Crss(反向传输电容): - 42 pF
    - Qg(总栅电荷): VDS=-20V, ID=-3A, VGS=-10V 时: 7.1 nC
    - Qgs(栅源电荷): - 1.5 nC
    - Qgd(栅漏电荷): - 1.8 nC

    产品特点和优势


    JMTL850P04A 的显著特点包括:
    - 高击穿电压和低导通电阻:具有-40V的漏源击穿电压和在不同栅源电压下的低导通电阻(如VGS=-10V时RDS(ON)<90mΩ),保证了在高功率应用中的稳定性和高效性。
    - 先进工艺:采用先进的沟槽技术,提供优异的RDS(ON)和低栅极电荷。
    - 无铅化:符合环保要求,适用于各种无铅焊接工艺。
    - 广泛应用:适用于PWM应用、负载开关以及电源管理系统等场合,适合于多种工业和消费电子设备。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    JMTL850P04A 适用于需要高效率和紧凑设计的应用,如移动设备充电器、便携式电源适配器、直流电机驱动器等。例如,在直流电机驱动电路中,它可以作为开关管用于控制电机的启停和转速调节。
    使用建议
    - 热管理:由于较高的功率耗散,需确保良好的散热措施,以避免过热导致器件损坏。
    - PCB布局:建议使用较短的引线并尽量靠近放置,以减少寄生电感和提高开关速度。
    - 外部栅极电阻:在使用过程中,适当添加外部栅极电阻可以优化开关时间,降低电磁干扰。

    兼容性和支持


    JMTL850P04A 与大多数标准SOT-23封装的焊盘设计兼容,能够方便地集成到现有的PCB布局中。捷捷微电子有限公司提供了详尽的技术文档和支持,用户可以通过官方渠道获取更多资料和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:器件在高温环境下运行时温度过高。
    解决方案:确保使用适当的散热片或散热器,并且合理布置PCB以利于散热。
    2. 问题:电路启动时有明显的抖动现象。
    解决方案:检查并优化PCB布局,特别是确保栅极走线尽可能短,并考虑增加栅极电阻以减小关断延迟。

    总结和推荐


    JMTL850P04A P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 在高效率、可靠性和成本效益方面表现卓越。它的典型应用包括PWM控制、负载开关以及电源管理等,特别适合需要高性能和紧凑尺寸的设计。基于其出色的性能和广泛的适用范围,我们强烈推荐这一产品给需要在高压高功率应用中寻求最佳解决方案的工程师们。

JMTL850P04A参数

参数
通道数量 -
FET类型 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 573pF@20V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 -
通用封装 SOT-23
应用等级 工业级
零件状态 在售

JMTL850P04A厂商介绍

JJW公司是一家领先的工业设备和解决方案提供商,专注于为全球客户提供高质量的产品和服务。公司主营产品包括:

1. 工业自动化设备:涵盖机器人、自动化生产线、传感器等,广泛应用于制造业、物流等领域。
2. 能源管理解决方案:包括智能电网、太阳能发电系统等,服务于电力、可再生能源行业。
3. 环保技术产品:如废水处理设备、空气净化系统,应用于环保、化工等行业。

JJW的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,确保产品技术领先。
- 定制服务:根据客户需求提供个性化解决方案,满足不同行业特定需求。
- 全球网络:拥有广泛的国际合作伙伴和分销网络,确保全球客户都能获得优质服务。
- 质量保证:严格的质量控制体系,确保产品可靠性和稳定性。

JJW公司致力于通过不断的技术创新和优质服务,为客户创造价值,推动工业进步。

JMTL850P04A数据手册

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JMTL850P04A封装设计

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