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IRFB7434

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: IRFB7434 TO-220
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) IRFB7434

IRFB7434概述


    产品简介


    isc N-Channel MOSFET Transistor IRFB7434/IIRFB7434 是一款高性能的N沟道功率场效应晶体管(MOSFET),主要应用于需要高效能、低导通电阻的电力转换系统中。这类器件广泛用于电源管理、电机驱动、新能源汽车、数据中心、工业自动化等领域,因其高效的开关特性和可靠的性能而备受青睐。

    技术参数


    以下是从技术手册中提取的技术参数和性能指标:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 | 40 40 | V |
    | 栅源电压 | ±20 ±20 | V |
    | 持续漏电流 | 195 A |
    | 单脉冲漏电流 1270 | A |
    | 总耗散功率 294 | W |
    | 最大结温 175 | ℃ |
    | 存储温度范围 | -55 175 | ℃ |
    | 通道到封装热阻 | 0.51 ℃/W |
    | 通道到环境热阻 62 | ℃/W |
    | 漏源击穿电压 | 40 40 | V |
    | 门限电压 | 2.2 | 3.9 V |
    | 导通电阻 1.6 mΩ |
    | 门源漏电电流 | ±0.1 ±0.1 | μA |
    | 源漏漏电电流 | 1.0 μA |
    | 二极管正向电压 1.3 | V |

    产品特点和优势


    isc N-Channel MOSFET Transistor IRFB7434/IIRFB7434 的特点如下:
    - 超低导通电阻 (RDS(on) ≤ 1.6 mΩ):使得在高电流应用中能有效减少损耗。
    - 快速开关速度:显著提高系统的效率并降低发热。
    - 100% 雪崩测试:确保设备在极端条件下依然可靠。
    - 最小批次间差异:保障设备的稳定性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    根据手册中的描述,这款 MOSFET 广泛应用于多种电力转换系统中,如电源管理、电机驱动和新能源汽车等。以下是针对这些应用场景的一些建议:
    - 在设计电路时,应注意散热措施,以确保器件的工作温度不超过最大允许值。
    - 使用合适的驱动电路,以实现快速且准确的开关操作。
    - 在高温环境下工作时,考虑增加外部散热片,确保良好散热效果。

    兼容性和支持


    isc N-Channel MOSFET Transistor IRFB7434/IIRFB7434 具备良好的兼容性,可以与其他标准 N 沟道 MOSFET 设备兼容。厂商提供详尽的技术支持和文档资源,确保客户能够顺利集成和使用该器件。如果您有任何疑问或需要帮助,可随时联系厂商的技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    根据手册中的常见问题及其解决方案,以下是几个可能遇到的问题及相应的解决办法:
    - 问题:长时间使用后器件过热
    - 解决方案:检查散热系统,增加散热片或采用更好的散热材料。

    - 问题:在特定条件下器件不工作
    - 解决方案:验证输入信号是否正确,检查驱动电路,确认符合器件要求。

    总结和推荐


    综上所述,isc N-Channel MOSFET Transistor IRFB7434/IIRFB7434 以其出色的性能和可靠性在众多应用场景中展现出色表现。该产品非常适合需要高效能、低功耗的应用场合,尤其是在高电流、高频率的电力转换系统中。强烈推荐使用这款器件,以获得最佳的电力转换效率和可靠性。

IRFB7434参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
FET类型 -
通道数量 -
通用封装 TO-220

IRFB7434厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IRFB7434数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 IRFB7434 IRFB7434数据手册

IRFB7434封装设计

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