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NDD02N60Z

产品分类:
产品描述:
供应商型号: NDD02N60Z DPAK/TO-252
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体  NDD02N60Z

NDD02N60Z概述

    NDD02N60Z N-Channel MOSFET Transistor: Comprehensive Technical Guide

    1. 产品简介


    NDD02N60Z 是一种高性能的 N 沟道 MOSFET 晶体管,适用于多种应用场景,如电机驱动、直流-直流转换器、电源开关和电磁阀驱动。这种晶体管通过先进的制造工艺,实现了低导通电阻和高耐压能力,从而确保其在复杂电气环境下的可靠性和稳定性。

    2. 技术参数


    以下是 NDD02N60Z 的详细技术规格和性能参数:
    - 漏极-源极电压 (VDSS):最小值为 600V
    - 栅极-源极电压 (VGS):连续操作的最大值为 ±30V
    - 漏极电流 (ID):连续操作的最大值为 2.2A
    - 单脉冲漏极电流 (IDM):最大值为 9A
    - 总耗散功率 (PD):在 25℃ 条件下为 57W
    - 最大结温 (TJ):150℃
    - 存储温度范围 (Tstg):-55℃ 至 150℃
    - 热阻 (Rth j-c):2.19℃/W

    3. 产品特点和优势


    - 高耐压能力:最大 600V 的漏极-源极电压使得 NDD02N60Z 能够承受较高的电压,适用于高压环境。
    - 低导通电阻:最大导通电阻仅为 4.8Ω,保证了较低的损耗,提高能效。
    - 宽泛的工作温度范围:能够适应 -55℃ 至 150℃ 的环境温度,增强其在恶劣环境下的可靠性。
    - 高可靠性:具备低漏电率,保证了长时间工作的稳定性。

    4. 应用案例和使用建议


    NDD02N60Z 在多种电力应用中表现出色。例如,在电机驱动系统中,它可以显著降低能耗并提高系统的整体效率。在直流-直流转换器中,其高耐压能力和低导通电阻使其成为理想的开关元件。在使用过程中,为了达到最佳性能,建议确保散热良好,避免过载运行,以延长使用寿命。

    5. 兼容性和支持


    NDD02N60Z 与其他常见的电源管理和控制设备具有良好的兼容性,可以方便地集成到现有的电路设计中。厂商提供了详尽的技术支持和维护服务,确保用户在使用过程中获得最佳体验。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:在高温环境下工作时,晶体管出现过热现象。
    - 解决方案:改善散热措施,如使用散热片或风扇,确保良好的空气流通。

    - 问题:在高压应用中,晶体管损坏。
    - 解决方案:检查系统设计,确保晶体管处于额定电压范围内,增加额外的保护措施。

    7. 总结和推荐


    NDD02N60Z 是一款性能卓越的 N 沟道 MOSFET 晶体管,适合应用于各种电力转换和控制领域。其高耐压、低导通电阻和宽工作温度范围的特点使其在市场上具有强大的竞争力。基于以上优点,强烈推荐使用 NDD02N60Z 作为高性能电力管理解决方案的理想选择。

NDD02N60Z厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

NDD02N60Z数据手册

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NDD02N60Z封装设计

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