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IPI60R199CP

产品分类:
产品描述:
供应商型号: IPI60R199CP I??PAK/TO-262
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体  IPI60R199CP

IPI60R199CP概述

    IPI60R199CP N-Channel MOSFET Transistor 技术手册

    1. 产品简介


    IPI60R199CP 是一款高性能的N沟道MOSFET晶体管,适用于多种电力电子应用。该器件具备超低导通电阻、快速开关速度及高峰值电流能力等特点,特别适合于需要高效能、高可靠性的电力转换系统中。

    2. 技术参数


    以下是IPI60R199CP的主要技术规格:
    - 静态漏源导通电阻(RDS(on)):≤ 0.199Ω
    - 栅极-源极电压(VGS):±20V
    - 漏极-源极电压(VDSS):600V
    - 连续漏极电流(ID):16A
    - 单脉冲漏极电流(IDM):51A
    - 总耗散功率(PD):@TC=25℃时为139W
    - 最大结温(Tj):150℃
    - 存储温度范围(Tstg):-55~150℃
    - 通道到外壳热阻(Rth(ch-c)):0.9℃/W

    3. 产品特点和优势


    IPI60R199CP的主要特点是其超低的栅极电荷和极高的峰值电流能力,这使得它能够在高压和高频条件下保持高效运行。此外,该器件经过100%雪崩测试,确保了极小的批次间差异,从而保证了可靠的性能和稳定的操作。

    4. 应用案例和使用建议


    IPI60R199CP可以广泛应用于各种电力转换设备中,例如开关电源、电机驱动器和逆变器等。根据手册提供的应用案例,建议在设计电路时注意以下几点:
    - 确保驱动电压(VGS)不超过±20V。
    - 注意散热设计以避免过热,特别是在高负载情况下。
    - 避免在超过最高额定值的条件下使用,以免损坏器件。

    5. 兼容性和支持


    IPI60R199CP与大部分通用的驱动电路兼容。厂商提供了全面的技术支持和服务,包括产品手册、应用指南和故障排除支持,确保用户能够正确且有效地使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及其解决方法:
    - Q: 在高温环境下工作时,器件温度过高怎么办?
    - A: 增加散热片或者采用强制风冷来提高散热效率。
    - Q: 如何确定合适的驱动电压?
    - A: 驱动电压应在0至±20V之间,根据实际应用需求选择合适的电压。
    - Q: 什么是雪崩测试?
    - A: 雪崩测试是一种模拟器件在极端条件下的工作情况,确保其可靠性。

    7. 总结和推荐


    综上所述,IPI60R199CP是一款性能优异、应用广泛的N沟道MOSFET晶体管。其卓越的电气特性和可靠性使其成为许多电力电子应用的理想选择。强烈推荐在需要高性能和高可靠性的电力转换系统中使用此产品。

IPI60R199CP厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IPI60R199CP数据手册

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ISC/无锡固电半导体 ISC/无锡固电半导体 IPI60R199CP IPI60R199CP数据手册

IPI60R199CP封装设计

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