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IPB65R125C7

产品分类:
产品描述: N-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: IPB65R125C7 D??PAK/TO-263
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体  IPB65R125C7

IPB65R125C7概述


    产品简介


    Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB65R125C7 是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用To-263 (D2PAK) 封装。它具有低输入电容和栅极电荷的特点,适用于各种开关应用,例如交流电机控制、电源转换器和逆变器等领域。

    技术参数


    - 额定电压:VDSS = 650 V
    - 最大栅源电压:VGSS = ±30 V
    - 连续漏极电流:
    - TC=25℃ 时:ID = 18 A
    - TC=100℃ 时:ID = 12 A
    - 单脉冲漏极电流:IDM = 75 A
    - 总耗散功率(TC=25℃):PD = 101 W
    - 最高工作结温:Tch = 150 ℃
    - 存储温度范围:Tstg = -55~150 ℃
    - 热阻抗:
    - 通道到外壳:Rth(ch-c) = 1.24 ℃/W
    - 通道到环境:Rth(ch-a) = 62 ℃/W

    产品特点和优势


    1. 低输入电容和栅极电荷:有助于减少开关损耗,提高效率。
    2. 低栅极输入电阻:简化驱动电路设计。
    3. 百分之百雪崩测试:确保器件可靠性。
    4. 最小批次间差异:保证了设备的稳健性和可靠操作。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB65R125C7 可广泛应用于电源管理和电机控制等领域。例如,在一个典型的开关电源设计中,这款MOSFET可以有效地降低开关损耗并提升整体系统效率。
    使用建议
    为了确保最佳性能和延长使用寿命,请注意以下几点:
    1. 在选择驱动器时,应考虑栅极电阻以避免过高的电压应力。
    2. 确保散热器的安装良好,避免过热导致的损坏。
    3. 在高功率应用中,务必考虑适当的散热措施。

    兼容性和支持


    该产品可与多种标准驱动器和控制器配合使用。厂商提供了详细的技术支持文档和在线资源,方便用户获取所需的支持和指导。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:工作温度超出限制
    - 解决方案:增加散热措施,如添加外部散热器或优化散热路径。

    2. 问题:栅极电压不稳定
    - 解决方案:检查驱动电路,确保正确的栅极电阻和滤波电容值。

    3. 问题:过大的漏极电流
    - 解决方案:检查负载条件,确认是否符合规定的最大电流限制。

    总结和推荐


    Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB65R125C7 以其高可靠性、低损耗和广泛的适用性,在各类开关应用中表现出色。其优秀的热管理和低输入电容特性使其成为电源管理和电机控制的理想选择。综合以上信息,我们强烈推荐此款产品用于相关应用中。

IPB65R125C7厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IPB65R125C7数据手册

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ISC/无锡固电半导体 ISC/无锡固电半导体 IPB65R125C7 IPB65R125C7数据手册

IPB65R125C7封装设计

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