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2SC3150

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: Silicon NPN Power Transistor
供应商型号: 2SC3150 TO-220
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 三极管(BJT) 2SC3150

2SC3150概述

    2SC3150 Silicon NPN Power Transistor 技术手册

    产品简介


    2SC3150 是一款高性能的硅基 NPN 功率晶体管,由 ISC(International Semiconductor Corporation)公司生产。该产品以其高击穿电压、快速开关速度和广泛的安全操作区域而著称。它特别适用于开关调节器和其他功率控制应用。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | VCBO (Collector-Base Voltage) | 900 V |
    | VCEO (Collector-Emitter Voltage) | 800 V |
    | VEBO (Emitter-Base Voltage) | 7 V |
    | IC (Collector Current-Continuous) 3 A |
    | ICM (Collector Current-Peak) 10 | A |
    | IB (Base Current-Continuous) 1.5 A |
    | PC (Collector Power Dissipation) 50 | W |
    | TJ (Junction Temperature) 150 | °C |
    | Tstg (Storage Temperature Range) | -55 150 | °C |
    电气特性
    | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | V(BR)CEO (Collector-Emitter Breakdown Voltage) | IC=5mA; RBE=∞ | 800 V |
    | V(BR)CBO (Collector-Base Breakdown Voltage) | IC=1mA; IE=0 | 900 V |
    | V(BR)EBO (Emitter-Base Breakdown Voltage) | IE=1mA; IC=0 | 7 V |
    | VCE(sat) (Collector-Emitter Saturation Voltage) | IC=1.5A; IB=0.3A | 2.0 V |
    | VBE(sat) (Base-Emitter Saturation Voltage) | IC=1.5A; IB=0.3A | 1.5 V |
    | ICBO (Collector Cutoff Current) | VCB=800V; IE=0 | 10 μA |
    | IEBO (Emitter Cutoff Current) | VEB=5V; IC=0 | 10 μA |
    | hFE-1 (DC Current Gain) | IC=0.2A; VCE=5V | 10 | 40
    | hFE-2 (DC Current Gain) | IC=1A; VCE=5V | 8 |
    | COB (Output Capacitance) | IE=0; VCB=10V; ftest=1MHz 60 | pF |
    | fT (Current-Gain-Bandwidth Product) | IC=0.2A; VCE=10V 15 | MHz |
    | Switching times
    | ton (Turn-on Time) | IC=2A, IB1=0.4A; IB2=-0.8A; RL=200Ω; VCC=400V | 1.0 μs |
    | tstg (Storage Time) | 3.0 μs |
    | tf (Fall Time) | 0.7 μs |

    产品特点和优势


    1. 高击穿电压:VCBO = 900V,VCEO = 800V,确保在高电压环境下稳定运行。
    2. 快速开关速度:快速的开关时间(ton = 1.0μs,tstg = 3.0μs,tf = 0.7μs),适合高频应用。
    3. 宽安全操作范围:具备宽泛的工作温度范围(Tstg = -55°C ~ 150°C)和电源温度范围(TJ = 150°C),提高可靠性。
    4. 低导通损耗:VCE(sat) = 2.0V 和 VBE(sat) = 1.5V,降低导通损耗。
    5. 低漏电流:ICBO 和 IEBO 仅为 10μA,减少不必要的功耗。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:适用于开关调节器、逆变器、电机驱动等电力转换应用。
    - 使用建议:在使用过程中,应注意散热管理,特别是在大电流条件下,以防止过热。此外,为了获得最佳的开关性能,建议优化电路设计,使开关频率适中,避免不必要的电容效应。

    兼容性和支持


    2SC3150 与其他常见的开关晶体管具有良好的兼容性,可轻松集成到现有的电路设计中。ISC 提供详尽的技术支持,包括产品文档、在线论坛和技术热线,以帮助用户更好地使用和优化产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过高的漏电流导致发热严重 | 检查是否超出了最大额定电流,并适当增加散热措施。 |
    | 开关时间长,影响电路效率 | 优化电路设计,确保合适的基极电流和基极电阻,以缩短开关时间。 |
    | 导通损耗过高,温升明显 | 确保良好的散热条件,必要时使用散热片或散热器。 |

    总结和推荐


    2SC3150 硅基 NPN 功率晶体管凭借其卓越的性能和广泛的适用性,在开关调节器和相关电力控制应用中表现出色。其高击穿电压、快速开关时间和低导通损耗使其成为市场上最具竞争力的产品之一。推荐在需要高可靠性和高性能的电力转换应用中使用此产品。

2SC3150参数

参数
集电极电流 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 -
最大功率耗散 -
配置 -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
VEBO-最大发射极基极电压 -
晶体管类型 -
VCBO-最大集电极基极电压 -
集电极截止电流 -
最大集电极发射极饱和电压 -
通用封装 TO-220

2SC3150厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

2SC3150数据手册

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ISC/无锡固电半导体 三极管(BJT) ISC/无锡固电半导体 2SC3150 2SC3150数据手册

2SC3150封装设计

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