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IRL2203NS

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: IRL2203NS D??PAK/TO-263
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) IRL2203NS

IRL2203NS概述

    电子元器件产品技术手册:IRL2203NS N-Channel MOSFET

    产品简介


    IRL2203NS 是一款高性能的N沟道功率MOSFET晶体管,适用于多种工业和消费电子应用。其特点是低静态导通电阻(RDS(on)),高可靠性及出色的性能稳定性。这种MOSFET特别适合于需要高效电能转换和电流控制的应用场景。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 30V (当栅源电压 VGS=0)
    - 栅源电压 (VGS): ±16V
    - 连续漏极电流 (ID): 116A
    - 脉冲漏极电流 (ID(puls)): 400A
    - 总耗散功率 (Ptot): 180W
    - 最大结温 (Tj): 175℃
    - 存储温度范围 (Tstg): -55℃~175℃
    - 热特性
    - 热阻,结至外壳 (Rth j-c): 0.85℃/W
    - 电气特性 (TC=25℃)
    - 击穿电压 (V(BR)DSS): 30V (当ID=250µA, VGS=0)
    - 阈值电压 (VGS(th)): 1.0~3.0V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 7mΩ (当VGS=10V, ID=60A)
    - 栅体漏电流 (IGSS): ±100nA (当VGS=±16V, VDS=0)
    - 零栅压漏电流 (IDSS):
    - 25µA (当VDS=30V, VGS=0, Tj=25℃)
    - 250µA (当VDS=24V, VGS=0, Tj=125℃)
    - 二极管正向导通电压 (VSD): 1.2V (当IS=60A, VGS=0)

    产品特点和优势


    IRL2203NS 的显著优势在于其极低的静态导通电阻(RDS(on) ≤7mΩ @ VGS=10V),使其在应用中表现出优异的效率和可靠性。此外,它经过100%雪崩测试,确保了卓越的耐用性和稳定性。制造商还通过严格的质量控制流程,使得各批次之间的差异降至最低,从而为设计师提供高度一致的性能表现。

    应用案例和使用建议


    IRL2203NS 在多种应用场合中表现卓越,如直流电机驱动、电源转换模块、DC-DC转换器和电池管理系统等。为了充分发挥其性能,在使用过程中应注意以下几点:
    - 尽量减少寄生电感和电容的影响,以避免瞬态电压冲击。
    - 选择合适的散热装置,确保热阻匹配,防止过热损坏。
    - 注意电路布局设计,确保信号完整性。

    兼容性和支持


    IRL2203NS 设计灵活,易于与其他电子元件集成,广泛兼容各类电路板和电源系统。ISC公司为其产品提供了详尽的技术文档和支持服务,涵盖设计指导、故障排查及性能优化等方面,帮助客户最大化利用其产品的潜在价值。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 高温环境下,器件出现异常发热现象。
    - 解决方案: 使用更高效的散热器或优化电路布局,增加对流散热途径。

    2. 问题: 在脉冲工作模式下,电流控制不准确。
    - 解决方案: 重新校准驱动电路,调整栅极驱动信号,确保电流波形稳定。

    3. 问题: 开关频率过高导致开关损耗增加。
    - 解决方案: 适当降低工作频率或选用低损耗的快速恢复二极管。

    总结和推荐


    综上所述,IRL2203NS N-Channel MOSFET凭借其低导通电阻、高可靠性和广泛的适用性,是一款优秀的电子元器件。其出色的性能和灵活性使其成为许多电力电子系统的理想选择。建议设计工程师根据具体应用需求进行详细评估和测试,以充分发挥其优势。

IRL2203NS参数

参数
最大功率耗散 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -

IRL2203NS厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IRL2203NS数据手册

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ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 IRL2203NS IRL2203NS数据手册

IRL2203NS封装设计

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