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FDP52N20

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 63nC@ 10V 2个N沟道 200V 52A 2.9nF@ 25V TO-220
供应商型号: FDP52N20 TO-220
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) FDP52N20

FDP52N20概述


    产品简介


    FDP52N20 是一款由ISC公司生产的N沟道功率场效应晶体管(MOSFET)。它具有出色的电流承载能力和较低的导通电阻,使其适用于多种电力转换和驱动应用。具体的应用领域包括电机驱动、直流-直流变换器、电源开关以及电磁线圈驱动等。这些特性使得FDP52N20成为电力电子系统设计中的理想选择。

    技术参数


    - 绝对最大额定值(Ta=25℃)
    - 漏源电压 (VDSS): 200V
    - 栅源电压 (VGS): ±30V(连续)
    - 持续漏极电流 (ID): 52A
    - 单脉冲漏极电流 (IDM): 208A
    - 总耗散功率 (PD): 375W @ TC=25℃
    - 最大结温 (TJ): 150℃
    - 存储温度 (Tstg): -55℃~150℃
    - 热特性
    - 热阻 (Rth j-c): 0.35℃/W
    - 电气特性(除非特别指定,否则TC=25℃)
    - 击穿电压 (V(BR)DSS): 200V
    - 阈值电压 (VGS(th)): 3.0~5.0V
    - 导通电阻 (RDS(on)): ≤ 49mΩ @ VGS=10V, ID=26A
    - 栅体泄漏电流 (IGSS): ±100nA @ VGS=±30V, VDS=0
    - 零栅压漏电流 (IDSS): ≤ 1μA @ VDS=200V, VGS=0
    - 正向导通电压 (VSD): ≤ 1.5V @ IS=52A, VGS=0

    产品特点和优势


    FDP52N20 的关键优势在于其卓越的耐冲击能力和低导通电阻。它能够承受高达208A的单脉冲电流,同时在导通状态下的电阻仅需49mΩ,确保了高效能的电流传输。此外,该产品的批量生产过程中经过100%雪崩测试,有效减少了批次间的差异,从而保证了长期稳定可靠的工作性能。

    应用案例和使用建议


    FDP52N20 广泛应用于需要高电流承载能力的场合,例如电机驱动系统。在直流-直流变换器中,其低导通电阻可以显著降低能量损耗,提高整体效率。为了确保最佳性能,建议在电路设计时考虑散热措施,以避免过热现象。

    兼容性和支持


    目前FDP52N20 支持标准的封装和接口,易于集成到现有的系统中。关于详细的技术支持和售后保障,用户可以访问ISC公司的官方网站或直接联系客服部门获取更多信息。公司承诺提供详尽的产品文档和技术咨询,确保客户顺利使用产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何选择合适的栅源电压?
    - 解答: 推荐使用10V作为栅源电压,以确保在导通状态下获得最低的导通电阻(RDS(on))。
    - 问题:为什么工作温度范围有限制?
    - 解答: 芯片的工作温度受到限制是由于材料特性决定的,超过特定温度会导致芯片损坏。请务必按照绝对最大额定值操作,以延长使用寿命。

    总结和推荐


    总体而言,FDP52N20凭借其优异的电气特性和可靠性,成为电力电子设计领域的优质选择。其适中的价格和广泛的应用场景使其在市场上具有较高的竞争力。如果你正在寻找一款高性能、可靠稳定的N沟道MOSFET晶体管,FDP52N20是一个非常值得推荐的产品。

FDP52N20参数

参数
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 52A
通道数量 -
栅极电荷 63nC@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 200V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.9nF@ 25V
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 2个N沟道
配置 -
通用封装 TO-220
应用等级 工业级
零件状态 在售

FDP52N20厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

FDP52N20数据手册

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ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 FDP52N20 FDP52N20数据手册

FDP52N20封装设计

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