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IPB031N08N5

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: IPB031N08N5 D??PAK/TO-263
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) IPB031N08N5

IPB031N08N5概述


    产品简介


    Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB031N08N5
    Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB031N08N5 是一款高性能的场效应晶体管(MOSFET),适用于各种开关应用。该产品具有低输入电容和栅极电荷的特点,使其能够在高速开关应用中表现出色。此外,该器件还经过100%雪崩测试,确保了其可靠的操作和长期稳定的性能。主要应用于开关电源、电动机驱动和其他电力转换系统。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - VDSS (Drain-Source Voltage): 80V
    - VGSS (Gate-Source Voltage): ±20V
    - ID (Drain Current-Continuous):
    - TC=25℃: 120A
    - TC=100℃: 116A
    - IDM (Drain Current-Single Pulsed): 480A
    - PD (Total Dissipation @TC=25℃): 167W
    - Tch (Max. Operating Junction Temperature): 175℃
    - Tstg (Storage Temperature): -55~175℃
    - 热特性
    - Rth(ch-c) (Channel-to-case thermal resistance): 0.9℃/W
    - Rth(ch-a) (Channel-to-ambient thermal resistance): 40℃/W
    - 电气特性
    - BVDSS (Drain-Source Breakdown Voltage): 80V
    - VGS(th) (Gate Threshold Voltage): 2.2~3.8V
    - RDS(on) (Drain-Source On-Resistance): 2.7~3.1mΩ (VGS=10V; ID=100A)
    - IGSS (Gate-Source Leakage Current): ±0.1μA (VGS=±20V; VDS=0V)
    - IDSS (Drain-Source Leakage Current): 1~100μA (VDS=80V; VGS=0V; Tj=25℃/125℃)
    - VSDF (Diode forward voltage): 0.94~1.2V (ISD=100A, VGS=0V)

    产品特点和优势


    - 低输入电容和栅极电荷:有助于减少开关损耗,提高效率。
    - 100% 雪崩测试:确保了长期稳定可靠的性能。
    - 最低的 Lot-to-Lot 变异:确保每个批次之间的性能一致性。
    - 低栅极输入电阻:简化了驱动电路的设计。
    - 高可靠性:适用于恶劣的工作环境。

    应用案例和使用建议


    该产品广泛应用于开关电源、电动机驱动和其他电力转换系统。例如,在电动汽车的充电器和逆变器中,Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB031N08N5 能够提供高效的功率转换。在实际应用中,为了最大限度地发挥其性能,应注意以下几点:
    - 确保良好的散热设计,避免过热。
    - 使用适当的驱动电路,以减少开关损耗。
    - 在高温环境下使用时,注意降低电流以防止过热。

    兼容性和支持


    Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB031N08N5 支持多种封装形式,方便集成到不同的电路板设计中。此外,制造商提供详尽的技术文档和支持服务,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - Q: 产品工作温度范围是多少?
    - A: 该产品的存储温度范围为 -55℃ 到 175℃,工作温度范围为 -55℃ 到 175℃。

    - Q: 如何保证长时间运行的稳定性?
    - A: 确保良好的散热措施,例如使用散热片或散热风扇,以保持器件在安全的工作温度范围内。
    - Q: 如何避免过高的漏电流?
    - A: 选择合适的驱动电压和电流,避免超过其额定值。同时,确保使用高质量的绝缘材料和接线。

    总结和推荐


    综上所述,Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB031N08N5 具有优秀的性能和可靠性,适合用于各种开关应用。其低输入电容、栅极电荷、100% 雪崩测试和较低的 Lot-to-Lot 变异等特点使其在市场上具有较高的竞争力。对于需要高效、可靠的开关电源和电力转换系统的应用,强烈推荐使用该产品。

IPB031N08N5参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -

IPB031N08N5厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IPB031N08N5数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 IPB031N08N5 IPB031N08N5数据手册

IPB031N08N5封装设计

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