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FQB47P06

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: FQB47P06 D??PAK/TO-263
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) FQB47P06

FQB47P06概述


    产品简介


    FQB47P06 P-Channel MOSFET Transistor
    FQB47P06 是一款由ISC Semiconductor公司生产的P沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel MOSFET)。该产品适用于电机驱动、直流-直流转换器、电源开关和电磁阀驱动等多种应用场合。其高性能和可靠性的特点使其成为工业控制和电力管理领域的理想选择。

    技术参数


    - 最大耐压 (VDSS):-60V(最小值)
    - 连续漏极电流 (ID):-47A
    - 单脉冲耐压 (IDM):-188A
    - 总耗散功率 (PD):160W(在25℃时)
    - 最大工作结温 (TJ):175℃
    - 存储温度范围 (Tstg):-55~175℃
    - 热阻 (Rth j-c):0.94℃/W
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):26mΩ(最大值,在VGS=-10V,ID=-23.5A条件下)

    产品特点和优势


    1. 高电流能力:FQB47P06具有高达47A的连续漏极电流能力,适合大电流应用需求。
    2. 低导通电阻:最大导通电阻仅为26mΩ,有效降低功耗和热量产生。
    3. 宽电压范围:耐压可达60V,适应多种高压应用环境。
    4. 优良的热稳定性:具备较低的热阻特性,保证长时间运行的可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    FQB47P06 MOSFET广泛应用于各类电机驱动电路、直流-直流转换器及电磁阀控制系统中。例如,在电机驱动系统中,通过精确控制电流可以提高系统的能效和响应速度。
    使用建议
    1. 在设计电路时,应确保电路中各部分的电流、电压和温度符合MOSFET的工作条件。
    2. 由于其较高的漏源导通电阻,在使用过程中应注意散热设计以防止过热。

    兼容性和支持


    FQB47P06 MOSFET与其他主流电子元件兼容,适用于多种电子设备和控制系统。ISC Semiconductor提供了详尽的技术文档和支持服务,帮助客户顺利集成并使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何判断MOSFET是否正常工作?
    答:可通过测量漏极-源极之间的电压降来判断。正常情况下,漏源导通电阻很低,电压降也应很小。
    2. 问:如何避免MOSFET过热?
    答:合理布置散热片,确保良好的空气流通;若有必要,可采用外置风扇辅助降温。

    总结和推荐


    FQB47P06 P-Channel MOSFET是一款优秀的功率管理器件,具备高电流处理能力和低导通电阻等显著优点。该产品非常适合应用于电机驱动、直流-直流转换器等需要高性能功率控制的应用场合。我们强烈推荐在上述应用中使用FQB47P06,以获得最佳性能和长期稳定运行。

FQB47P06参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
FET类型 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -

FQB47P06厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

FQB47P06数据手册

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ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 FQB47P06 FQB47P06数据手册

FQB47P06封装设计

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