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IRFB4332

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: IRFB4332 TO-220
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) IRFB4332

IRFB4332概述


    产品简介


    产品名称:ISC N-Channel MOSFET Transistor IRFB4332
    产品类型:N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
    主要功能:该晶体管具有低静态漏源导通电阻(RDS(on)),快速开关速度和高重复峰值电流能力。它可以在高温环境下稳定工作,并且具有卓越的抗雪崩能力。
    应用领域:适用于工业控制、电源管理、电机驱动等领域。由于其卓越的性能,广泛应用于汽车电子、通信设备及各类工业自动化控制系统。

    技术参数


    - 额定电压:VDSS (Drain-Source电压) = 250V
    - 最大栅极电压:VGS (Gate-Source电压) = ±30V
    - 连续漏极电流:ID (Drain Current) = 60A
    - 单脉冲峰值电流:IDM (Drain Current-Single Pulsed) = 230A
    - 最大耗散功率:PD (Total Dissipation) @ TC=25℃ = 390W
    - 最大工作结温:Tj = 175℃
    - 存储温度范围:Tstg = -40~175℃
    - 热阻:
    - Rth(ch-c) (Channel-to-case热阻) = 0.38℃/W
    - Rth(ch-a) (Channel-to-ambient热阻) = 62℃/W
    - 电气特性:
    - BVDSS (Breakdown Voltage) = 250V
    - VGS(th) (Gate Threshold Voltage) = 3V 至 5V
    - RDS(on) (On-Resistance) @ VGS=10V, ID=35A = 33mΩ
    - IGSS (Gate-Source Leakage Current) @ VGS= ±20V = ±0.1μA
    - IDSS (Drain-Source Leakage Current) @ VDS=250V, VGS= 0V = 20μA
    - VSD (Diode forward voltage) @ Is=35A, VGS = 0V = 1.3V

    产品特点和优势


    - 低静态漏源导通电阻:RDS(on) ≤ 33mΩ,有助于降低功耗并提高效率。
    - 快速开关速度:非常适合高频应用,可以提高系统整体效率。
    - 增强模式:确保在无负载情况下自动断开,提高了系统的安全性。
    - 百分之百雪崩测试:保证了在极端条件下也能稳定可靠运行。
    - 最小批次间变化:提供了更一致和可靠的性能,减少了潜在的设计和生产问题。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 在工业控制系统中用于电机驱动。
    - 作为电源转换器中的关键元件,实现高效能量转换。
    - 在通信设备中用于信号放大和滤波。
    使用建议:
    - 确保在电路设计时考虑到MOSFET的最大电压和电流限制,以避免过载损坏。
    - 使用合适的散热措施来保持设备温度低于最大允许值,例如加装散热片或使用风扇。
    - 配合使用外部保护电路,如瞬态电压抑制器(TVS)二极管,以防止电压突变对MOSFET造成损害。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IRFB4332适用于多种电路配置,可与其他常见的标准电压和电流水平的器件配合使用。
    - 厂商支持:ISC提供详尽的技术文档和支持服务,包括应用指南、设计工具和技术支持热线,帮助客户顺利集成该器件到他们的项目中。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 过高的栅极电压会损坏MOSFET吗?
    - A: 是的,确保VGS不超过额定值(±30V)。如果需要更高的控制信号,可以使用电平转换器或缓冲电路。
    2. Q: 如何有效冷却MOSFET?
    - A: 使用大尺寸散热片并考虑风扇冷却。根据计算热阻值选择适当的冷却方案。
    3. Q: MOSFET的漏源电压上限是多少?
    - A: 额定值为250V,实际使用中不要超过这个数值,否则可能损坏MOSFET。

    总结和推荐


    综合评估:ISC N-Channel MOSFET Transistor IRFB4332具备出色的电气特性和工作性能,在工业和汽车电子领域有着广泛的应用前景。其显著的优点包括低静态漏源导通电阻、快速开关速度和优秀的抗雪崩性能,使其成为高性能应用的理想选择。
    推荐意见:对于需要高性能MOSFET的应用场合,强烈推荐使用ISC N-Channel MOSFET Transistor IRFB4332。它能够显著提升系统的效率和可靠性,非常适合工业自动化、汽车电子和高端消费电子产品中的电源管理和电机控制等应用。

IRFB4332参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 -
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通用封装 TO-220

IRFB4332厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IRFB4332数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 IRFB4332 IRFB4332数据手册

IRFB4332封装设计

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