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IXTH110N10L2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2个N沟道 100V 1.4nF@25V 110A 2nF@ 15V TO-247
供应商型号: IXTH110N10L2 TO-247
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) IXTH110N10L2

IXTH110N10L2概述

    IXTH110N10L2 N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    IXTH110N10L2 是一款由 ISC 公司生产的 N 沟道 MOSFET 转换器,适用于广泛的直流-直流转换应用。它具备低导通电阻(RDS(on) ≤ 18mΩ@VGS=10V)和高击穿电压(BVDSS = 100V),特别适合用于 DC/DC 转换器、开关模式电源和共振模式电源供应器。IXTH110N10L2 的设计确保了卓越的性能稳定性和可靠性。

    技术参数


    | 参数符号 | 参数名称 | 条件 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VDSS | 漏源电压 | Ta=25℃ 100 | V |
    | VGS | 栅源电压 -20 | +20 | V |
    | ID | 连续漏极电流 110 | A |
    | IDM | 单脉冲漏极电流 300 | A |
    | PD | 总耗散功率 | TC=25℃ 600 | W |
    | Tj | 工作结温 -55 | 150 | ℃ |
    | Tstg | 存储温度范围 -55 | 150 | ℃ |
    | Rth(j-c) | 结至外壳热阻 0.21 | ℃/W |
    | 参数符号 | 参数名称 | 条件 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | BVDSS | 漏源击穿电压 | VGS=0V; ID = 250μA 100 | V |
    | VGS(th) | 门限电压 | VDS=VGS; ID = 250μA | 2.5 | 4.5 | V |
    | RDS(on) | 导通电阻 | VGS=10V; ID= 55A 18 | mΩ |
    | IGSS | 门限漏电电流 | VGS= ±20V;VDS=0V | -100 | +100 | nA |
    | IDSS | 源漏漏电电流 | VDS= VDSS; VGS= 0V 5 | μA |
    | VDS | 二极管正向电压 | IF= 110A; VGS = 0V 1.4 | V |

    产品特点和优势


    - 低导通电阻(RDS(on) ≤ 18mΩ@VGS=10V):在 10V 栅源电压下的低导通电阻使得器件具有出色的能效表现。
    - 高击穿电压(BVDSS = 100V):能够承受较高的电压,确保了在高压应用中的可靠性。
    - 100% 雪崩测试:通过全面的雪崩测试,确保器件在极端条件下的稳定性。
    - 低门限漏电电流(IGSS = ±100nA):确保栅极泄漏电流最小化,提高系统整体效率。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:IXTH110N10L2 可广泛应用于 DC/DC 转换器和开关模式电源,如服务器电源、通信设备电源等。该器件在这些应用中表现出色,能够提供稳定的电源输出和高效的能量转换。
    - 使用建议:在使用 IXTH110N10L2 时,应注意其工作温度范围和最大耗散功率限制。避免长时间超过最大额定值操作,以确保器件的长期可靠性和稳定性。此外,良好的散热设计可以显著提升其性能和寿命。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IXTH110N10L2 与主流的 PCB 布局和电路设计工具兼容,可以方便地集成到现有系统中。
    - 支持:ISC 提供详细的技术文档和用户指南,并为客户提供全面的技术支持服务,包括产品咨询、应用支持和技术培训。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高温环境下,器件的导通电阻是否会有变化?
    - 解决方案:查阅电气特性表,可以看到在 TJ=125℃ 下,导通电阻会有所增加。建议采用良好的散热措施来降低工作温度。

    2. 问题:如果发现器件有异常发热现象,如何处理?
    - 解决方案:检查电路布局和散热设计是否合理,必要时增加散热片或使用散热器以降低器件温度。

    总结和推荐


    IXTH110N10L2 在低导通电阻和高击穿电压方面表现出色,非常适合用于各种高压应用。其强大的性能和可靠性使其成为 DC/DC 转换器和开关模式电源的理想选择。ISC 提供了详细的文档和支持,帮助用户轻松上手。综上所述,强烈推荐 IXTH110N10L2 用于需要高效电源管理的应用场合。

IXTH110N10L2参数

参数
通道数量 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2nF@ 15V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 2个N沟道
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 110A
Rds(On)-漏源导通电阻 1.4nF@25V
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 TO-247
应用等级 工业级
零件状态 在售

IXTH110N10L2厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IXTH110N10L2数据手册

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ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 IXTH110N10L2 IXTH110N10L2数据手册

IXTH110N10L2封装设计

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