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IRF840A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: IRF840A TO-220
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) IRF840A

IRF840A概述

    N-Channel MOSFET Transistor IRF840A 技术手册解析

    1. 产品简介


    IRF840A 是一款N通道功率MOSFET晶体管,主要应用于开关电源(Switch mode power supply)、不间断电源(Uninterruptable power supply)和高速电力开关(High speed power switching)等领域。该器件具有快速开关速度、较低的门极体漏电流、以及最小化批间差异以确保可靠性能等特点。

    2. 技术参数


    以下是 IRF840A 的关键技术和性能参数:
    - 绝对最大额定值:
    - 栅源电压 (VGS): ±30 V
    - 漏源电压 (VDSS): 500 V (Min)
    - 连续漏极电流 (ID): 8 A (TC=25℃)
    - 单脉冲峰值漏极电流 (IDM): 32 A
    - 总耗散功率 (Ptot): 125 W (TC=25℃)
    - 最大工作结温 (Tj): 150 ℃
    - 存储温度范围 (Tstg): -55 ~ 150 ℃
    - 热阻参数:
    - 结到外壳热阻 (Rth j-c): 1.0 ℃/W
    - 结到环境热阻 (Rth j-a): 62 ℃/W
    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压 (V(BR)DSS): 500 V (VGS= 0; ID=0.25mA)
    - 门限电压 (VGS(th)): 2.0 ~ 4.0 V (VDS= VGS; ID=0.25mA)
    - 源极二极管导通电压 (VSD): 2.0 V (IS= 8A; VGS= 0)
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): 0.85 Ω (VGS= 10V; ID= 4.8A)
    - 门体泄漏电流 (IGSS): ±100 nA (VGS= ±30V; VDS= 0)
    - 零门电压漏极电流 (IDSS): 25 μA (VDS=500V; VGS= 0)
    - 正向跨导 (Gfs): 3.7 S (VDS= 50V; ID=4.8A)
    - 开启延迟时间 (td(on)): 11 ns (ID=8A; VDD=250V; RG=9.1Ω)
    - 上升时间 (tr): 23 ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 26 ns
    - 下降时间 (tf): 19 ns

    3. 产品特点和优势


    IRF840A 具有以下几个显著特点和优势:
    - 快速开关速度:短开启和关闭延迟时间(td(on), td(off)),加快系统响应时间。
    - 高可靠性:最低限度的批间差异确保了长期稳定的工作性能。
    - 高耐压能力:较高的漏源电压 (VDSS) 可适用于更广泛的电压应用场合。
    - 低导通电阻:RDS(on) = 0.85Ω 可实现高效的能量转换。
    - 高温适应性:最大工作结温达到 150℃,可适应较高温度的应用环境。

    4. 应用案例和使用建议


    IRF840A 在多种应用场景中表现出色,例如:
    - 开关电源:利用其快速开关能力和低导通电阻,提高效率。
    - 不间断电源系统:能够承受较大的单脉冲电流(IDM),适合瞬间负载突变。
    - 高速电力开关:由于具备快速的上升时间和下降时间(tr, tf),可用于需要快速切换的应用场合。
    使用建议:
    - 确保电路设计符合热管理要求,尤其是在高功率应用中要留出散热裕量。
    - 在高电流应用中,适当增加栅极驱动电阻以避免过高的门极电流。

    5. 兼容性和支持


    虽然技术手册中未明确提及与其他电子元器件的具体兼容性细节,但根据 IRF840A 的高耐压和高电流处理能力,可以推测其可能广泛兼容于各种开关电源设计。关于支持和维护,制造商提供了一定程度的保修和服务保障,如有特殊需求,需直接联系厂商进行咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是一些可能遇到的问题及其解决方案:
    - 问题:在高功率应用中发现发热严重。
    - 解决方案:检查散热设计,增加散热片或者改进空气流通条件。

    - 问题:出现高频振荡现象。
    - 解决方案:检查布线布局,增加去耦电容,调整栅极电阻值以减小寄生效应。

    - 问题:器件损坏后无响应。
    - 解决方案:确认输入电压及电流是否超出额定范围,检查连接线路是否存在短路。

    7. 总结和推荐


    IRF840A 是一款适用于多种高压和高速电力转换场合的高性能N通道MOSFET晶体管。其独特的设计特性使其在开关电源和不间断电源系统中表现出色,尤其适用于需要高效能转换的应用。推荐在高可靠性要求和恶劣环境下使用的电力转换系统中采用此款器件。

IRF840A参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220

IRF840A厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IRF840A数据手册

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ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 IRF840A IRF840A数据手册

IRF840A封装设计

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