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IPD60R600C6

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 11nC@ 10V 2个N沟道 650V 7.3A
供应商型号: IPD60R600C6 DPAK/TO-252
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) IPD60R600C6

IPD60R600C6概述


    产品简介


    产品名称:ISC N-Channel MOSFET Transistor IPD60R600C6
    产品类型:N沟道功率MOSFET晶体管
    主要功能:提供低导通电阻、快速开关性能,适用于各种电源管理和转换应用。
    应用领域:广泛应用于开关电源、电机驱动、LED照明系统及通用电力电子产品。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 栅极-源极电压(VGS):±20V
    - 漏极-源极电压(VDS):600V
    - 持续漏极电流(ID):7.3A
    - 单脉冲漏极电流(IDM):19A
    - 最大功耗(PD):63W(@TC=25℃)
    - 最大结温(Tj):150℃
    - 存储温度范围(Tstg):-55℃~150℃
    - 热阻抗
    - 结至外壳热阻(Rth(j-c)):2.0℃/W
    - 结至环境热阻(Rth(j-a)):62℃/W
    - 电气特性
    - 击穿电压(BVDSS):600V(VGS=0V, ID=0.25mA)
    - 栅极阈值电压(VGS(th)):2.5~3.5V(VDS=VGS, ID=0.2mA)
    - 导通电阻(RDS(on)):0.6Ω(VGS=10V, ID=2.4A)
    - 栅极-源极泄漏电流(IGSS):0.1μA(VGS=20V, VDS=0V)
    - 漏极-源极泄漏电流(IDSS):1μA(VDS=600V, VGS=0V)
    - 二极管正向压降(VSD):0.9V(IF=3A, VGS=0V)

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(on) ≤ 0.6Ω,在典型工作条件下具有出色的低导通电阻性能,有助于降低能耗并提高效率。
    - 快速开关:得益于其优秀的电气特性,可以实现高效的开关操作,特别适合高频电路。
    - 高可靠性:所有产品均经过100%雪崩测试,确保了高度的可靠性和一致性。
    - 温度范围广:能够在极端温度下稳定工作,适应性强。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:该产品广泛应用于开关电源和电机驱动器中,帮助用户提升系统的整体效率和可靠性。
    - 使用建议:
    - 确保正确的栅极驱动电压(VGS),以达到最佳的开关性能。
    - 使用适当的散热措施,如散热片或散热风扇,以避免过热现象。
    - 考虑到该产品的耐压特性,确保应用环境中的电压不超过其额定值,避免损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品可与大多数现有的开关电源和电机驱动电路兼容,适用于广泛的电子设备。
    - 支持:ISC公司提供了详尽的技术文档和用户指南,同时还提供技术支持和售后服务,确保用户能够顺利进行安装和调试。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品出现过热现象。
    - 解决方案:增加外部散热措施,如加装散热片或散热风扇,确保良好的热传导。
    2. 问题:开关速度不满足要求。
    - 解决方案:检查栅极驱动电压是否正确,调整驱动电路参数,确保合适的VGS值。
    3. 问题:产品工作不稳定。
    - 解决方案:确认输入电压和电流在规定的范围内,同时检查焊接和连接是否稳固。

    总结和推荐


    综上所述,ISC N-Channel MOSFET Transistor IPD60R600C6是一款高效可靠的电子元器件,具有低导通电阻、快速开关等显著优势。其在多种应用场景中的卓越表现使其成为设计工程师的首选。基于其优良的性能和广泛的适用性,强烈推荐使用该产品。

IPD60R600C6参数

参数
Id-连续漏极电流 7.3A
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 11nC@ 10V
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
FET类型 2个N沟道
Vgs-栅源极电压 -

IPD60R600C6厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IPD60R600C6数据手册

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ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 IPD60R600C6 IPD60R600C6数据手册

IPD60R600C6封装设计

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