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PSMN2R0-30PL

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: isc N Channel MOSFET Transistor
供应商型号: PSMN2R0-30PL TO-220
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) PSMN2R0-30PL

PSMN2R0-30PL概述

    PSMN2R0-30PL N-Channel MOSFET Transistor 技术手册

    1. 产品简介


    PSMN2R0-30PL 是一款由 ISC 公司生产的 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它适用于开关电源和通用应用场合。这款 MOSFET 在多种电子设备中发挥着关键作用,具有出色的性能和稳定性。

    2. 技术参数


    以下是 PSMN2R0-30PL 的关键技术和性能参数:
    | 参数符号 | 参数名称 | 最小值 | 最大值 | 单位 |

    | VDSS | 漏源电压 | 30 | V
    | VGS | 栅源电压(连续) | ±20 | V
    | ID | 漏极电流(连续) | 100 | A
    | IDM | 单脉冲漏极电流 | 943 | A
    | PD | 总耗散功率 | 211 | W
    | TJ | 最大结温 | -55~175| ℃
    | Tstg | 存储温度范围 | -55~175| ℃
    | Rth j-c | 热阻(结到外壳) | 0.71 | ℃/W
    电气特性:
    | 参数符号 | 参数名称 | 条件 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | V(BR)DSS | 漏源击穿电压 | VGS= 0; ID= 0.25mA | 30 | V
    | VGS(th) | 栅阈电压 | VDS= VGS; ID= 1mA | 1.3 | 2.15 | V |
    | RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS= 10V; ID= 15A | 2.1 | mΩ
    | IGSS | 栅体泄漏电流 | VGS= ±16V; VDS= 0 | ±100 | nA
    | IDSS | 零栅压漏电流 | VDS= 30V; VGS= 0 | 3.0 | μA
    | VSD | 正向导通电压 | IS= 25A; VGS= 0 | 1.2 | V

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:最大 RDS(on) 仅为 2.1 mΩ,显著降低导通损耗,提高系统效率。
    - 高耐压能力:最大漏源电压可达 30V,适合多种应用。
    - 单脉冲大电流处理能力:可承受高达 943A 的单脉冲漏极电流,适应瞬间高压大电流情况。
    - 稳健设计:100% 冲击测试,确保产品稳定可靠。
    - 低温漂移:极小的栅阈电压变化,适用于各种温度环境下。
    - 最小化批次差异:减少批次间的性能差异,提供一致性良好的产品体验。

    4. 应用案例和使用建议


    - 开关电源:作为开关电源中的核心组件,有效管理电源转换过程中的能量流动。
    - 通用用途:适用于工业控制、电机驱动和其他需要高性能 MOSFET 的场合。

    使用建议:
    - 在选择合适的驱动电路时,确保栅极驱动电压在合适范围内,以实现最佳的导通状态。
    - 考虑到热管理的重要性,建议在应用过程中安装散热片或冷却装置,确保 MOSFET 在安全的工作温度范围内运行。

    5. 兼容性和支持


    PSMN2R0-30PL 可与其他符合标准的电子元件和设备兼容。如果需要进一步的技术支持或遇到任何问题,请联系 ISC 客户服务团队。

    6. 常见问题与解决方案


    1. Q: 如何确保 PSMN2R0-30PL 在高温下稳定工作?
    - A: 使用散热器或其他冷却装置来降低工作温度。同时,合理安排电路布局,避免热点区域的形成。
    2. Q: 什么是栅源电压,为何重要?
    - A: 栅源电压是控制 MOSFET 开关的关键参数,适当的栅源电压可以确保 MOSFET 在所需条件下正常工作。
    3. Q: 如何测量漏源导通电阻 (RDS(on))?
    - A: 使用多用电表在规定的栅源电压下测量漏极电流和漏源电压,然后通过公式 RDS(on) = VDS / ID 计算得出。

    7. 总结和推荐


    PSMN2R0-30PL N 沟道 MOSFET 具备出色的导通电阻和耐压能力,广泛适用于开关电源和其他需要高性能 MOSFET 的应用场合。其稳健的设计和良好的热管理特性使其在市场上具备很强的竞争力。对于需要高效、可靠的电子系统而言,PSMN2R0-30PL 是一个值得信赖的选择。强烈推荐用于需要高效能 MOSFET 的应用。

PSMN2R0-30PL参数

参数
通道数量 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
通用封装 TO-220

PSMN2R0-30PL厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

PSMN2R0-30PL数据手册

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PSMN2R0-30PL封装设计

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