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TK58E06N1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: TK58E06N1 TO-220
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) TK58E06N1

TK58E06N1概述


    产品简介


    isc N-Channel MOSFET Transistor TK58E06N1 是一款高性能的功率场效应晶体管(Power MOSFET),主要用于电源转换、电机驱动、LED照明以及其他需要高效率和低损耗的应用场景。这款MOSFET具有低导通电阻(RDS(on))、增强模式操作、抗雪崩能力以及较小的批次间差异,确保其具备稳定的性能和可靠的运行。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术规格和电气特性:
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压(VDSS): 60V
    - 栅源电压(VGS): ±20V
    - 连续漏电流(ID): 58A
    - 单脉冲漏电流(IDM): 268A
    - 总耗散功率(PD)@TC=25℃: 110W
    - 最大工作结温(Tj): 150℃
    - 存储温度范围(Tstg): -55℃~150℃
    - 热特性:
    - 管芯到外壳热阻(Rth(ch-c)): 1.13℃/W
    - 管芯到环境热阻(Rth(ch-a)): 83.3℃/W
    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压(BVDSS): 60V
    - 栅阈电压(VGS(th)): 2.0~4.0V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)): 5.4mΩ @ VGS=10V, ID=29A
    - 栅源泄漏电流(IGSS): ±0.1μA @ VGS=±20V, VDS=0V
    - 漏源泄漏电流(IDSS): 10μA @ VDS=60V, VGS=0V
    - 二极管正向电压(VSDF): 1.2V @ IDR=58A, VGS=0V

    产品特点和优势


    isc N-Channel MOSFET Transistor TK58E06N1 的显著特点是其低导通电阻(RDS(on) ≤ 5.4mΩ @ VGS=10V),这使得它在高电流应用中表现出色。此外,其增强模式操作和严格的生产测试确保了良好的一致性和可靠性。抗雪崩能力和小批次间差异进一步提高了其在严苛环境下的性能稳定性。

    应用案例和使用建议


    isc N-Channel MOSFET Transistor TK58E06N1 广泛应用于各种电源管理和电机控制领域。例如,在直流-直流转换器中,它能够高效地转换和调节电压;在电机驱动应用中,它可以提供稳定的电流输出。为了确保最佳性能,建议在设计电路时考虑其热特性,并合理布局散热器以降低热阻。

    兼容性和支持


    该产品可以与其他常见的电源管理芯片和控制器无缝集成。厂商提供了详尽的技术支持和维护服务,包括应用指南、设计工具和快速响应的技术支持团队,帮助用户更好地利用该产品。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何避免过热问题?
    - A: 通过合理的散热设计,如添加散热片或风扇,并确保电路板有足够的空间来散发热量。

    - Q: 如何选择合适的驱动电路?
    - A: 选择一个合适的驱动电路以确保门极电压达到规定的阈值,同时也要注意驱动电流,确保不会对MOSFET造成损坏。

    - Q: 如何防止过流保护?
    - A: 使用适当的电流检测电路,或者根据应用需求调整MOSFET的工作电流限制。

    总结和推荐


    isc N-Channel MOSFET Transistor TK58E06N1 凭借其优异的导通电阻、增强模式操作和抗雪崩能力,成为适用于多种高效率应用的理想选择。其强大的性能和可靠的操作使其在市场上具备很强的竞争力。我们强烈推荐此款MOSFET给那些寻求高性能、稳定且经济高效的解决方案的设计者和工程师。

TK58E06N1参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
通用封装 TO-220

TK58E06N1厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

TK58E06N1数据手册

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ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 TK58E06N1 TK58E06N1数据手册

TK58E06N1封装设计

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