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NDD60N360U1-1

产品分类:
产品描述:
供应商型号: NDD60N360U1-1 IPAK/TO-251
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体  NDD60N360U1-1

NDD60N360U1-1概述

    NDD60N360U1-1 N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    NDD60N360U1-1 是一款高性能 N 沟道 MOSFET 晶体管,适用于电机驱动、直流-直流转换器、电源开关及电磁线圈驱动等多种应用场合。其卓越的电气特性和耐用性使其成为各类电力电子设备的理想选择。

    技术参数


    | 参数 | 规格 |

    | 漏极电流 (ID) | 11A @ TC=25℃ |
    | 漏源电压 (VDSS) | 600V (最小值) |
    | 静态漏源导通电阻 (RDS(on)) | 0.36Ω (最大值) @ VGS=10V |
    | 绝对最大额定值
    | 漏源电压 (VDSS) | 600V |
    | 栅源电压 (VGS) | ±25V (连续) |
    | 持续漏极电流 (ID) | 11A |
    | 单脉冲漏极电流 (IDM) | 44A |
    | 总耗散功率 (@TC=25℃) | 114W |
    | 最大工作结温 (TJ) | 150℃ |
    | 存储温度范围 (Tstg) | -55℃~150℃ |

    产品特点和优势


    1. 高耐压:高达600V的漏源电压,适用于高压应用场景。
    2. 低导通电阻:最大导通电阻为0.36Ω,有助于降低功耗,提高效率。
    3. 宽泛的工作温度范围:存储温度范围达到-55℃~150℃,适应各种恶劣环境。
    4. 快速开关特性:适用于高频开关应用,提高系统整体效率。

    应用案例和使用建议


    NDD60N360U1-1 可广泛应用于电机驱动、直流-直流转换器、电源开关及电磁线圈驱动等领域。为了确保最佳性能,建议遵循以下使用建议:
    1. 确保电路设计符合额定条件,避免过载运行。
    2. 使用散热良好的安装基板以提高可靠性。
    3. 在高频率开关应用中,考虑寄生效应的影响。

    兼容性和支持


    该产品可与其他标准的 N 沟道 MOSFET 晶体管无缝兼容,适合多种电路设计。制造商提供了详细的技术文档和支持服务,帮助客户解决应用过程中遇到的各种问题。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 漏源电压超过额定值会导致什么后果?
    - A: 超过额定的漏源电压可能会导致器件损坏。请确保电路设计不超过规定的最大值。

    2. Q: 如何有效降低功耗?
    - A: 选择合适的栅极驱动电压以降低导通电阻,合理设计散热系统。

    总结和推荐


    NDD60N360U1-1 以其优异的电气特性和广泛的应用范围,在电力电子设备中展现出强大的竞争力。其高效能、高可靠性及灵活的应用场景使得它在多个领域中具有显著优势。我们强烈推荐该产品用于需要高性能、高可靠性的应用场景。

NDD60N360U1-1厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

NDD60N360U1-1数据手册

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ISC/无锡固电半导体 ISC/无锡固电半导体 NDD60N360U1-1 NDD60N360U1-1数据手册

NDD60N360U1-1封装设计

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