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IRF60R217

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: IRF60R217 DPAK/TO-252
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) IRF60R217

IRF60R217概述


    产品简介


    ISC N-Channel MOSFET Transistor IRF60R217, IIRF60R217
    ISC N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)系列的IRF60R217和IIRF60R217是一款高效率、高性能的功率开关器件。这类器件广泛应用于同步整流、电源转换和其他需要高效电流控制的场合。本产品具有出色的低导通电阻和高击穿电压特性,能够显著提高系统效率并减少能量损耗。

    技术参数


    | 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: | :: | :: | :: |
    | VDSS | 漏源电压 60 60 | V |
    | VGS(th) | 门限电压 | VDS=VGS,ID=85μA | 2.1 3.7 | V |
    | RDS(on) | 导通电阻 | VGS=10V,ID=35A 9.9 mΩ |
    | BVDSS | 击穿电压 | VGS=0V,ID=250μA | 60 60 | V |
    | IGSS | 门极漏电流 | VGS=±20V,VDS=0V ±0.1 | μA |
    | IDSS | 漏极漏电流 | VDS=60V,VGS=0V 1 | μA |
    | VSD | 二极管正向电压 | IS=35A,VGS=0V 1.2 | V |
    | 参数 | 值 | 单位 |
    | :: | :: | :: |
    | 最大工作结温 | 175 | ℃ |
    | 存储温度 | -55 ~ 175 | ℃ |
    | 通道至外壳热阻 | 1.8 | ℃/W |
    | 通道至环境热阻 | 110 | ℃/W |
    | 最大连续漏极电流 | 58 | A |
    | 单脉冲最大漏极电流 | 217 | A |
    | 总耗散功率@TC=25℃ | 83 | W |

    产品特点和优势


    - 超低导通电阻:静态导通电阻RDS(on) ≤ 9.9mΩ,可大幅降低功耗,提高整体电路效率。
    - 增强模式操作:作为增强型MOSFET,其工作电压范围为-10V到+20V,适用于多种电源应用。
    - 高可靠性:100%的雪崩测试确保了器件的稳定性和耐用性。
    - 批次间一致性好:最小的批次间变化保证了产品性能的一致性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 同步整流:利用其低导通电阻特性,适合用于开关电源中提高效率。
    - 电机驱动:适用于电动工具、机器人等设备中的电机控制。
    - 电池管理系统:通过精确控制电流,保护电池免受过充和过放电的危害。
    使用建议:
    - 在选择散热措施时,考虑器件的热阻参数,以确保长期可靠运行。
    - 考虑到高温环境可能影响性能,设计电路时预留适当的裕量。

    兼容性和支持


    本产品与其他主流品牌的产品具有良好的兼容性,可以在不同的电路板上进行替换。ISC提供了全面的技术支持服务,包括详细的安装指南和故障排查文档,帮助客户快速解决问题。此外,ISC还提供了灵活的定制服务,以满足特定应用的需求。

    常见问题与解决方案


    Q1: 电路运行过程中出现异常发热现象怎么办?
    A1: 首先检查散热片是否正确安装且足够大以提供足够的散热面积。其次确认工作电流不超过额定值。如果问题仍然存在,请联系技术支持获取进一步的帮助。
    Q2: 设备在低温环境下无法正常启动。
    A2: 在启动前预热电路板,并确保输入电压处于规定的范围内。如果问题依旧,请参考用户手册中的故障排除部分或直接联系客户服务部门。

    总结和推荐


    综上所述,ISC的IRF60R217/IIRF60R217是一款极具竞争力的N-Channel MOSFET产品,具备优异的电气特性和广泛的适用范围。它特别适合于需要高效电流控制的应用场景。考虑到其卓越的性能表现和厂商提供的优质支持,强烈推荐给追求高性能解决方案的设计工程师们。

IRF60R217参数

参数
FET类型 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -

IRF60R217厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IRF60R217数据手册

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ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 IRF60R217 IRF60R217数据手册

IRF60R217封装设计

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