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IPP086N10N3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: IPP086N10N3 TO-220
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) IPP086N10N3

IPP086N10N3概述

    IPP086N10N3 N-Channel MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    IPP086N10N3 是由 INCHANGE Semiconductor 生产的一款高性能 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款 MOSFET 主要应用于开关电源、电机驱动、照明系统、汽车电子等领域。它凭借其卓越的性能和可靠的操作,在多个应用领域具有广泛的应用前景。

    2. 技术参数


    以下是 IPP086N10N3 的主要技术参数:
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(on)): ≤ 8.2mΩ
    - 栅极-源极电压 (VGS): ±20V
    - 击穿电压 (BVDSS): 100V
    - 栅阈值电压 (VGS(th)): 2.0V ~ 3.5V
    - 最大连续漏电流 (ID): 80A
    - 单脉冲峰值漏电流 (IDM): 320A
    - 总耗散功率 (PD): 125W(@ TC=25℃)
    - 最大结温 (Tj): 175℃
    - 存储温度范围 (Tstg): -55℃ ~ 175℃
    - 热阻 (Rth(ch-c), Rth(ch-a)): 1.2℃/W, 62℃/W

    3. 产品特点和优势


    IPP086N10N3 具有以下几个显著的优势:
    - 低导通电阻:RDS(on) ≤ 8.2mΩ,适用于高效率电力转换应用。
    - 快速开关速度:增强模式设计确保了快速的开关操作。
    - 可靠性:100% 电雪崩测试确保在极端条件下的稳定性。
    - 批间一致性:最小化批间变化,确保设备性能和操作的可靠性。
    - 宽工作温度范围:从 -55℃ 到 175℃,适应多种环境条件。

    4. 应用案例和使用建议


    IPP086N10N3 适用于多种应用场合,如开关电源、电机驱动、照明系统、汽车电子等。以下是一些具体的应用案例及使用建议:
    - 开关电源:在大电流输出的开关电源中,选择合适的散热措施(例如使用散热片或风扇)以保证 MOSFET 在高功率运行时的散热效果。
    - 电机驱动:在需要频繁启停和调速的电机应用中,利用其快速开关特性提高效率并减少能量损耗。
    - 照明系统:在 LED 驱动电路中,选择适当的工作电压和电流参数,确保 MOSFET 在最佳工作点上运行。

    5. 兼容性和支持


    IPP086N10N3 通常可以与其他标准 N-Channel MOSFET 管脚兼容的元器件和设备配合使用。对于具体的应用需求,建议咨询 INCHANGE Semiconductor 官方支持团队以获得更多的技术支持和指导。

    6. 常见问题与解决方案


    根据技术手册,以下是一些常见的问题及其解决方案:
    - Q: 如何防止过热?
    A: 采用适当的散热措施,如散热片和风扇,同时确保良好的空气流通。
    - Q: 如何避免栅极电压过高?
    A: 使用适当的栅极电阻以限制栅极电压的上升速度,并确保驱动电路的稳定。
    - Q: 如何降低漏电流?
    A: 在选择 MOSFET 时,注意漏电流的指标,并合理选择合适的器件进行替换或调整。

    7. 总结和推荐


    IPP086N10N3 作为一款高性能的 N-Channel MOSFET,具备低导通电阻、快速开关速度、高可靠性等显著优势,非常适合在多种高功率应用中使用。对于需要高效、稳定工作的电力转换场合,推荐使用 IPP086N10N3。

IPP086N10N3参数

参数
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220

IPP086N10N3厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IPP086N10N3数据手册

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ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 IPP086N10N3 IPP086N10N3数据手册

IPP086N10N3封装设计

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