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IRFR4620

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: IRFR4620 DPAK/TO-252
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) IRFR4620

IRFR4620概述


    产品简介


    isc N-Channel MOSFET Transistor (型号:IRFR4620) 是一款高性能的功率开关器件。作为N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),它在高电流和高速开关应用中表现出色。此产品适用于多种工业和消费电子设备,如电源管理系统、电机驱动、焊接设备、通信设备等。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术和性能参数:
    | 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | BVDSS | 漏源击穿电压 | VGS=0V; ID=250μA | 200 | - | 200 | V |
    | VGS(th) | 栅阈电压 | VDS=VGS; ID=100μA | 3 | 4 | 5 | V |
    | RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS=10V; ID=15A | 78 | - | 78 | mΩ |
    | IGSS | 栅漏泄漏电流 | VGS=±20V | - | - | ±0.1 | μA |
    | IDSS | 漏源泄漏电流 | VDS=200V; VGS=0V | - | - | 20 | μA |
    | VSD | 二极管正向电压 | Is=15A, VGS=0V | - | - | 1.3 | V |
    绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDSS): 200 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 持续漏电流 (ID): 24 A
    - 单脉冲漏电流 (IDM): 100 A
    - 总耗散功率 @ TC=25℃ (PD): 144 W
    - 最大结温 (Tj): 175 ℃
    - 存储温度范围 (Tstg): -55~175 ℃
    热特性:
    - 结到外壳热阻 (Rth(j-c)): 1.045 ℃/W
    - 结到环境热阻 (Rth(j-a)): 110 ℃/W

    产品特点和优势


    该产品具有以下显著特点和优势:
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(on)) ≤ 78 mΩ,确保低功耗和高效率。
    - 增强模式操作和100%雪崩测试验证,确保可靠性。
    - 极小的批次间差异,提供稳定且可靠的性能。
    - 适用于高速电力开关应用,适应广泛的工业和消费电子设备。

    应用案例和使用建议


    该产品广泛应用于电源管理系统、电机驱动和焊接设备中。具体的应用案例包括但不限于开关电源转换器、电机控制电路和感应加热系统。在实际应用中,建议采取以下措施以确保最佳性能:
    - 在设计电路时,确保电路的散热设计符合产品的热特性要求,特别是在高电流和高温环境下运行。
    - 使用合适的栅极驱动电路以确保快速而准确的开关操作。
    - 注意布局和走线的设计,减少寄生电感和电容的影响,从而提高系统的稳定性和响应速度。

    兼容性和支持


    本产品与大多数标准电路设计和电源管理方案高度兼容。制造商提供了详尽的技术文档和支持,包括详细的电气特性和热管理指南,有助于客户轻松集成和优化其应用。对于需要特殊应用或定制需求的情况,建议联系厂商获取更多技术支持。

    常见问题与解决方案


    以下列出了常见的用户问题及其解决方法:
    - 问题1:器件发热严重
    解决方案: 检查电路设计的散热方案,确保其符合产品的热特性要求;检查是否有可能导致高热耗散的操作条件,如有必要进行调整。
    - 问题2:栅极驱动电压不足
    解决方案: 确保使用的栅极驱动器能够提供足够高的驱动电压,以确保MOSFET的快速切换。
    - 问题3:过高的漏源泄漏电流
    解决方案: 检查是否有异常的电压或电流条件导致漏源泄漏电流增加,如有必要,检查电路设计并进行必要的调整。

    总结和推荐


    isc N-Channel MOSFET Transistor (型号:IRFR4620) 是一款出色的高性能MOSFET器件,具有卓越的性能和可靠性。其高效率和良好的批次一致性使其在各种电力开关应用中表现出色。我们强烈推荐这款产品用于对高电流和高速开关有需求的应用场合。

IRFR4620参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -

IRFR4620厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IRFR4620数据手册

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ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 IRFR4620 IRFR4620数据手册

IRFR4620封装设计

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