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DMG4N65CTI

产品分类:
产品描述:
供应商型号: DMG4N65CTI TO-220F
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体  DMG4N65CTI

DMG4N65CTI概述

    DMG4N65CTI N-Channel MOSFET Transistor 技术手册

    产品简介


    DMG4N65CTI 是一款N沟道功率MOSFET晶体管,适用于开关电源和通用电子应用。该器件的主要功能包括低导通电阻、高击穿电压和优异的雪崩测试能力,确保了高度可靠的操作性能。

    技术参数


    - 最大工作条件
    - 漏源电压 (VDSS): 650V
    - 栅源电压 (VGS): ±30V
    - 漏极连续电流 (ID): 4A
    - 单脉冲漏极电流 (IDM): 6A
    - 总耗散功率 (PD): 8.35W(当温度TC=25℃时)
    - 最大结温 (TJ): -55℃ ~ 150℃
    - 存储温度范围 (Tstg): -55℃ ~ 150℃
    - 热特性
    - 热阻(结到壳) (Rth j-c): 10.69℃/W
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压 (V(BR)DSS): 650V (当VGS=0; ID=0.25mA时)
    - 栅阈电压 (VGS(th)): 3.0 ~ 5.0V (当VDS=VGS; ID=0.25mA时)
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): 3.0Ω (当VGS=10V; ID=2A时)
    - 栅体漏电电流 (IGSS): ±10uA (当VGS=±30V; VDS=0时)
    - 零栅电压漏电流 (IDSS): 1.0μA (当VDS=650V; VGS=0时)
    - 正向导通电压 (VSD): 1.0V (当IS=1A; VGS=0时)

    产品特点和优势


    DMG4N65CTI 的主要优势包括:
    - 极低的漏源导通电阻 (RDS(on)),有助于提高效率和降低功耗。
    - 650V的高击穿电压使其适用于高电压环境下的应用。
    - 100%雪崩测试通过,确保了出色的可靠性和鲁棒性。
    - 最小批次间变化,保证了稳定一致的性能。

    应用案例和使用建议


    DMG4N65CTI 可广泛应用于各类开关电源中,如DC-DC转换器、逆变器等。在具体应用时,需要注意以下几个方面以优化系统性能:
    - 散热管理:考虑到高总耗散功率,设计时需要考虑良好的散热措施,避免高温引起的失效。
    - 电路保护:在电路设计时需加入过流保护、过压保护等措施,以确保器件安全。

    兼容性和支持


    目前没有特别提及与其他特定电子元器件或设备的兼容性要求,但在一般电子设备中使用无特殊限制。厂商提供了一定程度的技术支持,但未详述具体的服务范围和期限。

    常见问题与解决方案


    - Q: 在高温环境下工作,是否会损坏?
    - A: 设计时需要考虑良好的散热方案。确保工作温度不超过最大结温范围,即-55℃ ~ 150℃。

    - Q: 电路出现异常过流现象怎么办?
    - A: 检查电路连接是否正确,考虑增加外部保护电路如熔断器等来防止过流。

    总结和推荐


    总体而言,DMG4N65CTI 在众多方面表现优异,尤其是其高可靠性、稳定的性能及广泛的应用领域。鉴于其优良的电气特性和适用范围,该器件非常值得在开关电源和其他高可靠性应用场合中采用。

DMG4N65CTI厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

DMG4N65CTI数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ISC/无锡固电半导体 ISC/无锡固电半导体 DMG4N65CTI DMG4N65CTI数据手册

DMG4N65CTI封装设计

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