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FDP038AN06A0

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 40nC 2个N沟道 60V 80A TO-220
供应商型号: FDP038AN06A0 TO-220
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) FDP038AN06A0

FDP038AN06A0概述

    FDP038AN06A0 N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    FDP038AN06A0 是一款高性能的N沟道功率MOSFET晶体管,主要用于电机驱动、直流-直流转换器、电源开关和电磁阀驱动等领域。它具备低导通电阻、高耐压能力和优良的热稳定性,是多种电力电子应用的理想选择。

    技术参数


    - 额定参数
    - 漏源电压 \( V{DSS} \): 最小值 60V
    - 栅源电压(连续) \( V{GSS} \): ±20V
    - 漏极电流(连续) \( ID \): 80A
    - 单脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 320A
    - 总耗散功率 \( PD \): 在25°C时 310W
    - 最大结温 \( TJ \): -55°C 到 175°C
    - 存储温度范围 \( T{stg} \): -55°C 到 175°C
    - 热特性
    - 热阻 \( R{th\,j-c} \): 0.48°C/W
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压 \( V{(BR)DSS} \): \( V{GS}=0 \); \( ID=0.25mA \), 最小值 60V
    - 栅阈值电压 \( V{GS(th)} \): \( V{DS}=V{GS} \); \( ID=0.25mA \), 2.0V 至 4.0V
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - \( V{GS}=10V \); \( ID=80A \), 最大值 3.8mΩ
    - \( V{GS}=6V \); \( ID=40A \), 最大值 7.4mΩ
    - 栅体漏电流 \( I{GSS} \): \( V{GS}=±20V \); \( V{DS}=0 \), ±100nA
    - 零栅电压漏电流 \( I{DSS} \): \( V{DS}=50V \); \( V{GS}=0 \), 最大值 1.0μA
    - 正向导通电压 \( V{SD} \):
    - \( IS=80A \); \( V{GS}=0 \), 最大值 1.25V
    - \( IS=40A \); \( V{GS}=0 \), 最大值 1.0V

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:最大 3.8mΩ 的 \( R{DS(on)} \),适用于需要高效率的电路。
    - 高耐压能力:最小 60V 的 \( V{DSS} \),保证了在高压环境下的稳定运行。
    - 低热阻:0.48°C/W 的 \( R{th\,j-c} \),有助于快速散热,提高可靠性。
    - 高可靠性:所有产品均经过100%雪崩测试,确保长期稳定的性能。

    应用案例和使用建议


    - 电机驱动:FDP038AN06A0 适用于高功率电机驱动应用,其低 \( R{DS(on)} \) 可以有效减少功率损耗,提高系统效率。
    - 直流-直流转换器:由于其高耐压能力和低 \( R{DS(on)} \),该MOSFET特别适合于高功率直流-直流转换器。
    - 电源开关:用于要求高效率和高可靠性的电源开关设计。
    使用建议:
    - 在使用过程中,确保提供良好的散热措施,避免长时间工作在高温环境下。
    - 尽量避免瞬态过压和过流,以免损坏器件。

    兼容性和支持


    FDP038AN06A0 具有广泛的兼容性,可以与多种电路板和电子设备无缝对接。此外,ISC公司提供详尽的技术支持和维护服务,帮助用户解决可能遇到的技术问题。

    常见问题与解决方案


    - Q: 过高的栅极电压会导致什么问题?
    - A: 过高的栅极电压可能导致栅极氧化层损坏,建议严格控制在±20V以内。
    - Q: 如何有效散热?
    - A: 可以使用散热片或者风扇进行辅助散热,同时注意保持良好的空气流通。
    - Q: MOSFET是否会受到静电放电的影响?
    - A: 是的,应采取防静电措施,如接地和使用防静电袋包装。

    总结和推荐


    FDP038AN06A0 N-Channel MOSFET 凭借其出色的电气特性和优异的性能,在多种电力电子应用中表现卓越。低导通电阻和高耐压能力使其在高功率应用场景中具有明显的优势。综合考虑其广泛的应用范围和强大的技术支持,我们强烈推荐这款产品用于各种高功率电力电子设备。

FDP038AN06A0参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 2个N沟道
栅极电荷 40nC
Id-连续漏极电流 80A
通道数量 -
配置 -
通用封装 TO-220

FDP038AN06A0厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

FDP038AN06A0数据手册

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ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 FDP038AN06A0 FDP038AN06A0数据手册

FDP038AN06A0封装设计

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