处理中...

首页  >  产品百科  >  IXTA50N20P

IXTA50N20P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: IXTA50N20P D??PAK/TO-263
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) IXTA50N20P

IXTA50N20P概述


    产品简介


    IXTA50N20P N-Channel MOSFET Transistor
    IXTA50N20P 是一款高性能的N沟道MOSFET晶体管,适用于多种高要求的应用场景。其主要功能包括低导通电阻(RDS(on))、高耐压能力和出色的温度稳定性。IXTA50N20P广泛应用于直流-直流转换器(DC/DC Converter)中,适合高频开关和同步整流应用。

    技术参数


    - 绝对最大额定值 (Ta=25℃):
    - VDSS(漏源电压): 200 V
    - VGS(栅源电压): ±20 V
    - ID(连续漏极电流): 50 A
    - IDM(单脉冲漏极电流): 120 A
    - PD(总耗散功率): 360 W @ TC=25℃
    - Tj(工作结温): -55 ~ 175 ℃
    - Tstg(存储温度): -55 ~ 125 ℃
    - 电气特性 (TC=25℃):
    - BVDSS(漏源击穿电压): 200 V
    - VGS(th)(栅阈电压): 2.5 ~ 5.0 V
    - RDS(on)(漏源导通电阻): 60 mΩ @ VGS=10V; ID=50A
    - IGSS(栅漏漏电流): ±100 nA @ VGS= ±20V; VDS=0V
    - IDSS(漏源漏电流): 25 μA @ VDS= VDSS; VGS= 0V
    - TJ=150℃ 时为 250 μA
    - VSD(二极管正向电压): 1.5 V @ IF= 50A; VGS = 0V
    - 热特性:
    - Rth(j-c)(结到壳热阻): 0.42 ℃/W

    产品特点和优势


    - 低导通电阻: IXTA50N20P 的导通电阻低至 60 mΩ,能够有效减少功耗,提高电路的整体效率。
    - 全生命周期测试: 该晶体管通过了全面的雪崩电压和电流测试,确保其可靠性和长期稳定性。
    - 大范围的工作温度: 可在 -55℃ 至 175℃ 的宽广温度范围内正常工作,适用于各种恶劣环境。
    - 零差异批次生产: 生产过程中最大限度减少了批次间的差异,保证了器件的一致性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - DC/DC 转换器: 在高频开关电源中,IXTA50N20P 可以显著提高转换效率,减少发热。
    - 高频开关应用: 适合于需要高频率工作的电路设计,如逆变器和电机驱动器。
    使用建议:
    - 确保散热良好,特别是高电流工作时,需额外加装散热片或风扇,以防止过热。
    - 使用符合标准的焊接工艺,避免短路和虚焊等问题。

    兼容性和支持


    IXTA50N20P 设计灵活,可广泛应用于多种电子设备中。制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,用户可随时咨询以获得技术支持。

    常见问题与解决方案


    1. Q: I experienced overheating during high current operation.
    - A: Ensure proper heat dissipation by adding heatsinks or fans. Verify that the PCB layout allows adequate airflow.

    2. Q: The device is showing higher than expected RDS(on).
    - A: Check the gate drive voltage (VGS) and ensure it is within the recommended range. If necessary, adjust the gate drive circuit.

    总结和推荐


    IXTA50N20P 是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET晶体管,具有低导通电阻、宽工作温度范围和高稳定性。适用于各种高要求的直流-直流转换器和高频开关应用。经过全面的测试和验证,能够满足严苛的工业标准。强烈推荐在相关应用中使用此产品。
    联系我们:
    更多详情请访问 [ISC官方网站](http://www.iscsemi.cn) 或直接联系销售代表获取技术支持。

IXTA50N20P参数

参数
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -

IXTA50N20P厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IXTA50N20P数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 IXTA50N20P IXTA50N20P数据手册

IXTA50N20P封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 37.5
800+ ¥ 24
库存: 5
起订量: 5 增量: 800
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 187.5
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0