处理中...

首页  >  产品百科  >  FQPF7N80C

FQPF7N80C

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 6nC@ 160V 2个N沟道 800V 83pF@24V 6.6A TO-220F
供应商型号: FQPF7N80C TO-220F
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) FQPF7N80C

FQPF7N80C概述

    FQPF7N80C N-Channel MOSFET Transistor 技术手册

    1. 产品简介


    FQPF7N80C 是一款高性能的N沟道增强型功率场效应晶体管(N-Channel Enhancement Mode Power Field Effect Transistor)。这款MOSFET具有低导通电阻(RDS(on)),适用于各种高效率开关模式电源应用。其设计旨在满足严苛的工作条件,适合广泛的工业和消费电子产品。

    2. 技术参数


    以下是FQPF7N80C的主要技术参数:
    - 绝对最大额定值
    - Drain-Source Voltage (VDSS): 800 V
    - Gate-Source Voltage (VGS): ±30 V
    - Drain Current (ID): 6.6 A(连续)
    - Drain Current (IDM): 26.4 A(单脉冲)
    - Total Dissipation (PD): 56 W @ TC=25℃
    - Operating Junction Temperature (Tj): -55℃ ~ 150℃
    - Storage Temperature (Tstg): -55℃ ~ 150℃
    - 热特性
    - Junction-to-case Thermal Resistance (Rth(j-c)): 2.23 ℃/W
    - 电气特性
    - Breakdown Voltage (BVDSS): 800 V
    - Gate Threshold Voltage (VGS(th)): 3 V ~ 5 V
    - On-Resistance (RDS(on)): 1.9 Ω @ 10 V, 3.3 A
    - Gate-Source Leakage Current (IGSS): ±100 nA @ VGS= ±30V, VDS= 0V
    - Drain-Source Leakage Current (IDSS): 10 μA @ VDS= 800V, VGS= 0V
    - Diode Forward Voltage (VSD): 1.4 V @ IS = 6.6A, VGS = 0 V

    3. 产品特点和优势


    FQPF7N80C 的特点如下:
    - 极低的导通电阻(RDS(on) ≤ 1.9Ω @ 10V),可实现高效的电流传输。
    - 快速开关速度,提高电路的整体效率。
    - 通过100%雪崩测试,确保在恶劣环境下可靠运行。
    - 最小的批次间差异,保证了性能的一致性和可靠性。
    这些特点使其在高效率开关模式电源和电力转换系统中表现出色。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景:高效率开关模式电源、电机驱动、焊接设备、不间断电源(UPS)。
    - 使用建议:
    - 确保电路布局合理,以减少寄生电感和电容,提高MOSFET的稳定性。
    - 使用适当的散热措施,如散热片或风扇,以控制工作温度,延长产品寿命。
    - 在设计过程中,应考虑驱动电路的设计,以确保快速和准确的开关控制。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:FQPF7N80C 具有标准封装形式,易于与其他常见的N沟道MOSFET及电源管理IC配合使用。
    - 支持和服务:ISC提供详尽的技术文档和用户指南,以及在线技术支持。如需进一步咨询或定制解决方案,请联系ISC技术支持团队。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:高温下MOSFET失效。
    - 解决办法:检查散热措施是否到位,确认是否有过流或过压情况。必要时增加散热片或改善通风条件。
    - 问题:启动时噪声大。
    - 解决办法:检查驱动电路,确保驱动信号无干扰。优化电路布局,减少寄生电感的影响。
    - 问题:无法正常关断。
    - 解决办法:检查驱动信号是否正确,确保足够的门极电压以完全关闭MOSFET。

    7. 总结和推荐


    FQPF7N80C 是一款高性能的N沟道MOSFET,适用于高效率的开关模式电源和其他需要高效能和可靠性的应用。其卓越的电气特性和紧凑的设计使其在市场上具备较强的竞争力。我们强烈推荐该产品用于需要高效率和稳定性的场合。
    通过以上内容,我们可以看出FQPF7N80C 不仅在技术上表现优异,而且在实际应用中能够满足用户的多样化需求。如果您正在寻找一款可靠的N沟道MOSFET来提升您的产品性能,FQPF7N80C 绝对是一个值得考虑的选择。

FQPF7N80C参数

参数
FET类型 2个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 800V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 6.6A
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 6nC@ 160V
Rds(On)-漏源导通电阻 83pF@24V
通用封装 TO-220F

FQPF7N80C厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

FQPF7N80C数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 FQPF7N80C FQPF7N80C数据手册

FQPF7N80C封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 9.3563
1000+ ¥ 5.988
库存: 5
起订量: 5 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 46.78
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0