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IRLR8256

产品分类:
产品描述: N-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: IRLR8256 DPAK/TO-252
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体  IRLR8256

IRLR8256概述


    产品简介


    产品名称:IRLR8256 N-Channel MOSFET Transistor
    产品类型:N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)
    主要功能:作为开关器件用于电力转换和驱动应用
    应用领域:适用于各种电源管理和电机控制应用,如直流-直流转换器、逆变器、电源管理模块等

    技术参数


    以下是IRLR8256 N-Channel MOSFET的主要技术参数:
    - 漏源电压 (VDSS):25 V
    - 栅源电压 (VGS):±20 V
    - 连续漏电流 (ID):81 A
    - 单脉冲漏电流 (IDM):325 A
    - 总耗散功率 (PD) @ TC=25℃:63 W
    - 最大工作结温 (Tj):175 ℃
    - 存储温度 (Tstg):-55 ~ 175 ℃
    热特性参数:
    - 通道到外壳热阻 (Rth(j-c)):2.4 ℃/W
    - 通道到环境热阻 (Rth(j-a)):110 ℃/W

    产品特点和优势


    - 高效率:具有低至5.7 mΩ的导通电阻 (RDS(on))
    - 坚固耐用:所有批次都经过雪崩测试,确保性能一致性和可靠性
    - 增强模式:无需预充电,启动方便
    - 低温漂移:低温度系数,确保在宽温度范围内性能稳定
    - 可靠性高:减少批次间的差异,确保长时间使用中的可靠性和稳定性

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 直流-直流转换器:由于其低导通电阻和高效率,非常适合用于高效DC-DC转换器中。
    - 电机控制:在需要快速开关的应用中表现优异,适合于小型化电机控制器的设计。
    使用建议:
    - 在选择散热片时,考虑到通道到环境的热阻为110 ℃/W,需确保适当的散热设计以维持正常工作温度。
    - 考虑到高达25 V的漏源电压,使用时要注意避免过压导致损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品可与其他主流的N-Channel MOSFET兼容,用于替代传统产品以提升效率和可靠性。
    - 技术支持:制造商提供详尽的技术文档和支持服务,包括详细的使用指南和常见问题解答。

    常见问题与解决方案


    - Q:如何确保产品不因过热而损坏?
    - A: 确保散热设计充分,避免长期满载工作导致过热。可以使用散热器或其他冷却装置来降低工作温度。
    - Q:是否有推荐的使用电压范围?
    - A: 为了保证最佳性能和寿命,建议工作电压在0到25 V之间,最高可达到25 V。

    总结和推荐


    IRLR8256 N-Channel MOSFET以其出色的性能参数和坚固耐用的特点,在多种电力管理和电机控制应用中表现出色。其低导通电阻和高可靠性使其成为电源管理和电机控制领域的理想选择。对于追求高性能和长寿命的工程师和设计师来说,推荐选用这款产品。

IRLR8256厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IRLR8256数据手册

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ISC/无锡固电半导体 ISC/无锡固电半导体 IRLR8256 IRLR8256数据手册

IRLR8256封装设计

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