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TK31E60W

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: TK31E60W TO-220
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) TK31E60W

TK31E60W概述

    INCHANGE Semiconductor N-Channel MOSFET Transistor TK31E60W: A Comprehensive Guide

    产品简介


    INCHANGE Semiconductor的TK31E60W是一款高性能的N沟道MOSFET晶体管,适用于多种电子应用。其主要功能在于其极低的导通电阻(RDS(on))和增强模式操作特性,使其成为开关电压调节器的理想选择。这款产品广泛应用于电源管理和转换系统中,特别适合需要高效率和稳定性的应用场合。

    技术参数


    | 参数符号 | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VDSS | 漏源击穿电压 | - | 600 | - | V |
    | VGS(th) | 门限电压 | 2.7 | 3.7 | - | V |
    | RDS(on) | 漏源导通电阻 | - | 88 | - | mΩ |
    | IGSS | 门限漏电流 | - | ±1 | - | μA |
    | IDSS | 漏源漏电流 | - | 10 | - | μA |
    | VSDF | 二极管正向电压 | - | 1.7 | - | V |
    绝对最大额定值:
    | 参数符号 | 参数名称 | 值 | 单位 |
    ||
    | VDSS | 漏源电压 | 600 | V |
    | VGS | 门源电压 | ±30 | V |
    | ID | 连续漏极电流 | 30.8 | A |
    | IDM | 单脉冲漏极电流 | 123 | A |
    | PD | 总耗散功率@TC=25℃ | 230 | W |
    | Tj | 最大结温 | 150 | ℃ |
    | Tstg | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
    热特性:
    | 参数符号 | 参数名称 | 值 | 单位 |
    ||
    | Rth(ch-c)| 漏极到外壳热阻 | 0.543 | ℃/W |
    | Rth(ch-a)| 漏极到环境热阻 | 83.3 | ℃/W |

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:RDS(on) ≤ 0.088Ω,使得功率损耗显著降低,提高能效。
    2. 高阈值电压稳定性:2.7至3.7V的阈值电压范围,保证了稳定的开关性能。
    3. 增强可靠性:100%雪崩测试,确保了长期运行的可靠性和耐用性。
    4. 一致性和稳定性:最小批次到批次的变化,确保了产品的高度一致性和稳定性。

    应用案例和使用建议


    - 开关电压调节器:在直流电源系统中,利用其低导通电阻的特点,可以实现高效能的电压调节。
    - 电源管理:适用于需要高效率的电源管理系统,如笔记本电脑充电器和电源适配器。
    使用建议:
    - 确保散热设计充分,以避免过热损坏。
    - 在电路设计时,考虑适当的门极驱动电压,以确保稳定可靠的开关操作。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与主流的电源管理系统兼容,可应用于广泛的电子产品中。
    - 支持:厂商提供全面的技术支持和售后服务,确保用户能够顺利使用并解决问题。

    常见问题与解决方案


    1. Q:如何减少发热?
    - A:确保良好的散热设计,如加装散热片或使用风扇进行强制冷却。
    2. Q:如何改善开关性能?
    - A:确保门极驱动电压适当,尽量减少门极电压的波动。
    3. Q:如何确保长期稳定运行?
    - A:定期检查和维护,确保散热系统的正常运作,避免过热。

    总结和推荐


    INCHANGE Semiconductor的TK31E60W N沟道MOSFET晶体管凭借其低导通电阻、高可靠性及稳定性,在众多应用中表现出色。它非常适合于需要高效率和稳定性的电源管理系统。强烈推荐用于需要高效、可靠的电子设备中。
    通过上述详细的分析和总结,可以看出INCHANGE Semiconductor的TK31E60W是一款性能卓越、应用广泛的MOSFET晶体管,具有显著的竞争优势。

TK31E60W参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
配置 -
通用封装 TO-220

TK31E60W厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

TK31E60W数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 TK31E60W TK31E60W数据手册

TK31E60W封装设计

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