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IPW60R120P7

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 48W 4V@ 250uA 25nC@ 10V 2个N沟道 100V 200mΩ@ 10V,5.7A 9.7A 330pF@25V TO-247
供应商型号: IPW60R120P7 TO-247
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) IPW60R120P7

IPW60R120P7概述

    IPW60R120P7 N-Channel MOSFET Transistor 技术手册

    1. 产品简介


    IPW60R120P7 是一款N沟道增强型功率MOSFET晶体管,适用于硬开关和软开关应用。该产品具有低导通电阻(RDS(on) ≤ 120mΩ),并经过100%雪崩测试,确保卓越的稳定性和可靠性。广泛应用于电源管理、电机驱动、照明系统等领域。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - VDSS (Drain-Source Voltage): 600V
    - VGS (Gate-Source Voltage): ±20V
    - ID (Drain Current - Continuous): 26A
    - IDM (Drain Current - Single Pulsed): 78A
    - PD (Total Dissipation @ TC=25℃): 95W
    - Tj (Max. Operating Junction Temperature): 150℃
    - Tstg (Storage Temperature): -55~150℃
    - 热特性
    - Rth(j-c) (Channel-to-case thermal resistance): 1.31℃/W
    - Rth(j-a) (Channel-to-ambient thermal resistance): 62℃/W
    - 电气特性
    - BVDSS (Drain-Source Breakdown Voltage): 600V (VGS=0V; ID=1mA)
    - VGS(th) (Gate Threshold Voltage): 3~4V (VDS=VGS; ID=0.41mA)
    - RDS(on) (Drain-Source On-Resistance): 120mΩ (VGS=10V; ID=8.2A)
    - IGSS (Gate-Source Leakage Current): 1μA (VGS=20V; VDS=0V)
    - IDSS (Drain-Source Leakage Current): 1μA (VDS=600V; VGS=0V)

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(on) ≤ 120mΩ,显著降低功耗和发热。
    - 高可靠性:100%雪崩测试确保耐用性。
    - 一致性:最小化批次间差异,确保可靠运行。
    - 温度适应性强:宽广的工作温度范围(-55℃至150℃)使其适用于多种恶劣环境。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:常用于高压直流逆变器、电动汽车充电系统、工业电机驱动器等。
    - 使用建议:
    - 确保良好的散热设计,特别是在大电流工作条件下。
    - 使用低电感引线以减少寄生效应。
    - 避免瞬间电压超过最大额定值(如VDSS),以防损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与大多数标准栅极驱动器兼容。
    - 支持:提供详细的电气特性和热特性数据,确保可靠使用。如果需要更多技术支持,可联系ISC官方网站上的客服部门。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:导通电阻过高,导致发热严重。
    - 解决方案:检查工作环境温度,确认散热是否足够;如果需要,更换更高效的散热片或风扇。
    - 问题2:瞬态电压保护不足。
    - 解决方案:添加外部瞬态电压抑制二极管,以保护器件免受电压尖峰的影响。
    - 问题3:器件无法正常关断。
    - 解决方案:检查栅极驱动电路,确保有足够的负偏压使器件可靠关断。

    7. 总结和推荐


    IPW60R120P7 N-Channel MOSFET晶体管凭借其低导通电阻、高可靠性和广泛的温度适应性,在电源管理和工业控制领域具有明显优势。通过合理的散热设计和正确使用方法,能充分发挥其性能。强烈推荐在各类高压直流应用中采用此产品。

IPW60R120P7参数

参数
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 25nC@ 10V
FET类型 2个N沟道
通道数量 -
最大功率耗散 48W
Id-连续漏极电流 9.7A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250uA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 330pF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 200mΩ@ 10V,5.7A
Vds-漏源极击穿电压 100V
通用封装 TO-247

IPW60R120P7厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IPW60R120P7数据手册

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IPW60R120P7封装设计

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