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IRFR3410

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: IRFR3410 DPAK/TO-252
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) IRFR3410

IRFR3410概述

    # isc N-Channel MOSFET Transistor IRFR3410, IIRFR3410 技术手册

    产品简介


    isc N-Channel MOSFET Transistor(N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管)IRFR3410 和 IIRFR3410 是高性能电子元器件,主要设计用于高频率直流-直流转换器和其他功率电子应用。这两种型号具有出色的低导通电阻(RDS(on)),并支持宽泛的工作电压范围,能够高效运行于各类工业和消费类电子设备中。
    主要功能:
    - 静态导通电阻(RDS(on)):最低可达39mΩ。
    - 增强模式操作。
    - 可靠性极高,支持100%雪崩测试。
    应用领域:
    - 高频DC-DC转换器。
    - 工业控制设备。
    - 消费类电子产品。
    - 开关电源设计。

    技术参数


    以下是该产品的主要技术规格:
    | 符号 | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VDSS | 漏源击穿电压 | - | 100 | - | V |
    | VGS(th) | 门限电压 | 2 | 4 | - | V |
    | RDS(on) | 漏源导通电阻 | - | 39 | - | mΩ |
    | IGSS | 门源漏电流 | - | ±0.2 | - | μA |
    | BVDSS | 漏源击穿电压 | - | 100 | - | V |
    | VSD | 二极管正向电压 | - | 1.3 | - | V |
    绝对最大额定值:
    - 漏源电压(VDSS):100V。
    - 栅源电压(VGS):±20V。
    - 连续漏极电流(ID):31A。
    - 单脉冲漏极电流(IDM):125A。
    - 总耗散功率(PD):110W(在TC=25℃时)。
    - 最大结温(Tj):175℃。
    - 存储温度范围(Tstg):-55~175℃。
    热阻特性:
    - 结至外壳热阻(Rth(j-c)):1.4℃/W。
    - 结至环境热阻(Rth(j-a)):110℃/W。

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻(RDS(on)):典型值仅为39mΩ,能够在高效率功率应用中显著降低功耗。
    2. 高可靠性:经过100%雪崩测试,确保长期稳定运行。
    3. 增强型设计:提供增强模式操作,适用于多种开关电路。
    4. 批次一致性:极小的批次间变化,保证设备性能的稳定性。
    5. 宽温范围支持:适用于-55℃到175℃的工作环境,满足恶劣条件下的使用需求。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 高频DC-DC转换器:用于通信设备、工业自动化等领域,能实现高效的电能转换。
    - 开关电源设计:适用于家电、照明设备等对能效要求较高的场合。
    使用建议:
    - 在高电流情况下,确保良好的散热措施以防止热失控。
    - 谨慎设置驱动电路,避免过高的栅源电压(VGS)损坏器件。
    - 在选择辅助元件时,需考虑其与IRFR3410的匹配性,以达到最佳性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:本产品与多种标准电路设计兼容,可轻松集成到现有系统中。
    - 支持服务:制造商提供详尽的技术文档和支持,帮助用户快速上手和解决问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 设备启动时出现异常高温 | 检查散热片是否安装正确,优化热管理设计。 |
    | 输出电压波动较大 | 确保电路接线无松动,检查负载匹配情况。 |
    | 寿命短 | 核对工作环境是否超出额定温度范围,必要时更换散热装置。|

    总结和推荐


    综合评估:
    IRFR3410 和 IIRFR3410 是高性能的N沟道MOSFET,具备卓越的低导通电阻、宽温操作能力和可靠性,是现代电子设备的理想选择。
    推荐结论:
    我们强烈推荐这些产品应用于需要高效率、高可靠性的功率电子设计中,特别是在高频DC-DC转换器和开关电源等场景下。通过合理的布局和散热设计,可以充分发挥其性能优势。

IRFR3410参数

参数
通道数量 -
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
通用封装 TO-252

IRFR3410厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IRFR3410数据手册

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ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 IRFR3410 IRFR3410数据手册

IRFR3410封装设计

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