处理中...

首页  >  产品百科  >  IPD65R400CE

IPD65R400CE

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: IPD65R400CE DPAK/TO-252
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) IPD65R400CE

IPD65R400CE概述

    # isc N-Channel MOSFET Transistor IPD65R400CE 技术手册

    产品简介


    isc 的 IPD65R400CE 是一款高性能 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有出色的开关特性和高可靠性。这款产品以其低导通电阻(RDS(on) ≤ 0.4Ω)和高击穿电压(BVDSS = 650V)为核心特点,广泛应用于工业控制、电源管理、电机驱动等领域。其卓越的快速开关能力和高抗浪涌电流能力使其成为高频开关电路的理想选择。

    技术参数


    | 符号 | 参数名称 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | VDSS | 漏源击穿电压 | VGS = 0V; ID = 1mA | —— | 650 | —— | V |
    | VGS(th)| 门限电压 | VDS = VGS; ID = 0.32mA | 2.5 | 3.5 | —— | V |
    | RDS(on)| 漏源导通电阻 | VGS = 10V; ID = 3.2A | —— | 0.4 | —— | Ω |
    | IGSS | 门源漏电流 | VGS = 20V; VDS = 0V | —— | 0.1 | —— | μA |
    | IDSS | 漏源漏电流 | VDS = 650V; VGS = 0V | —— | 1 | —— | μA |
    | VSD | 二极管正向电压 | IF = 4.9A, VGS = 0V | —— | 0.9 | —— | V |
    绝对最大额定值
    | 符号 | 参数名称 | 值 | 单位 |
    ||
    | VDSS | 漏源电压 | 650 | V |
    | VGS | 门源电压 | ±20 | V |
    | ID | 连续漏电流 | 15.1 | A |
    | IDM | 单脉冲漏电流 | 30 | A |
    | PD | 总功耗 | 118 | W |
    | Tj | 结温 | 150 | ℃ |
    | Tstg | 贮存温度 | -55~150 | ℃ |
    热特性
    | 符号 | 参数名称 | 值 | 单位 |
    ||
    | Rth(j-c) | 结到外壳热阻 | 1.06 | °C/W |
    | Rth(j-a) | 结到环境热阻 | 62 | °C/W |

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:RDS(on) ≤ 0.4Ω,有效降低功耗,提升系统效率。
    2. 高击穿电压:BVDSS = 650V,适用于高压环境。
    3. 快速开关:具备出色的开关速度,减少开关损耗。
    4. 高可靠性:100% 电雪崩测试确保稳定运行。
    5. 最小化批次差异:提高生产一致性和产品可靠性。
    这些特性使 IPD65R400CE 成为工业电源、逆变器及电机驱动的理想选择,同时在市场上表现出极高的竞争力。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 工业电源:用于高频 DC-DC 转换器和逆变器中。
    - 电机驱动:适配于小型电机的驱动电路,例如风扇和泵。
    - 新能源:可作为光伏逆变器的功率模块组件。
    使用建议
    1. 散热设计:由于总功耗较高,需配合高效散热器以保证设备长期稳定运行。
    2. 保护电路:建议增加过流保护电路以避免损坏。
    3. 最佳工作条件:建议在 VGS = 10V 下工作以获得最优性能。

    兼容性和支持


    IPD65R400CE 具备广泛的兼容性,能够无缝集成到现有系统中。厂商提供全面的技术支持,包括产品文档、样品申请和技术咨询服务。如需进一步技术支持,请访问官网 www.iscsemi.cn 或直接联系厂商。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 设备温度过高 | 增加散热片或改进散热设计 |
    | 开关频率不足 | 检查驱动电路是否正常,调整驱动信号幅度和频率 |
    | 电流过大导致器件损坏 | 增设电流限制电路,或优化负载连接 |

    总结和推荐


    综上所述,IPD65R400CE 是一款集高性能、高可靠性和高性价比于一体的 N 沟道 MOSFET。其低导通电阻、快速开关能力和高耐压水平使其成为众多应用场景的首选产品。如果您正在寻找一款适应苛刻工作环境的电子元器件,这款产品值得高度推荐。
    推荐指数:★★★★☆(4/5)
    推荐理由:优秀的性能和可靠性使其成为大多数高压电路的理想选择,但需要注意的是,在高温环境中可能需要额外的散热措施。

IPD65R400CE参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
最大功率耗散 -
通道数量 -

IPD65R400CE厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IPD65R400CE数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 IPD65R400CE IPD65R400CE数据手册

IPD65R400CE封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 7.5
2500+ ¥ 4.8
库存: 50000
起订量: 5 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 37.5
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336