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IPD60R3K3C6

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: IPD60R3K3C6 DPAK/TO-252
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) IPD60R3K3C6

IPD60R3K3C6概述

    电子元器件技术手册:N-Channel MOSFET Transistor IPD60R3K3C6

    产品简介


    IPD60R3K3C6 是一款由ISC半导体生产的N-通道MOSFET晶体管。它具有低导通电阻(RDS(on)≤3.3Ω)和增强模式,广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动等领域。该器件经过100%雪崩测试,以确保其在高电压和电流条件下的稳定性和可靠性。此外,该产品最小批次间的差异性保证了设备性能的稳定可靠。

    技术参数


    以下是IPD60R3K3C6的技术规格和电气特性摘要:
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDSS): 600V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏极电流 (ID): 1.7A
    - 单脉冲漏极电流 (IDM): 4A
    - 最大功耗 (@TC=25℃): 18.1W
    - 最大工作结温 (Tj): 150℃
    - 存储温度 (Tstg): -55~150℃
    - 热特性
    - 结至外壳热阻 (Rth(j-c)): 6.9℃/W
    - 结至环境热阻 (Rth(j-a)): 62℃/W
    - 电气特性
    - 击穿电压 (BVDSS): 600V
    - 栅阈电压 (VGS(th)): 2.5~3.5V
    - 导通电阻 (RDS(on)): ≤3.3Ω (VGS=10V, ID=0.5A)
    - 栅源漏电流 (IGSS): ≤0.1μA (VGS=20V, VDS=0V)
    - 源漏漏电流 (IDSS): ≤1μA (VDS=600V, VGS=0V)
    - 二极管正向电压 (VSD): 0.9V (IF=0.6A, VGS=0V)

    产品特点和优势


    - 高速切换:IPD60R3K3C6具备快速切换能力,适用于高频电路设计。
    - 高度可靠性:100%雪崩测试确保了其在极端条件下的稳定性。
    - 低导通电阻:RDS(on)≤3.3Ω的设计降低了功耗和发热。
    - 最小批次差异:确保每一批次的产品性能一致,提升系统整体可靠性。

    应用案例和使用建议


    IPD60R3K3C6 可用于多种电子设备中,如开关电源、逆变器和电机驱动等。以下是一些具体的应用场景:
    - 开关电源:在开关电源中,IPD60R3K3C6的低导通电阻能够有效降低损耗,提高转换效率。
    - 逆变器:在逆变器应用中,其快速切换能力可以减少开关损耗,提升逆变器的性能。
    - 电机驱动:在电机驱动应用中,该器件可以提供高效的电能转换,提升电机的工作效率。
    使用建议:
    - 确保散热良好,避免高温导致器件损坏。
    - 使用合适的栅极驱动电路,以实现快速而稳定的开关操作。
    - 在实际应用中,注意器件的绝对最大额定值,避免过载使用。

    兼容性和支持


    IPD60R3K3C6在设计上具有良好的兼容性,可以与其他标准电子元器件和设备配合使用。ISC半导体提供了详细的技术文档和专业的技术支持,以确保客户能够充分利用该器件的优势。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:器件过热。
    - 解决方案:确保良好的散热措施,如使用散热片或风扇来辅助散热。

    - 问题二:器件击穿。
    - 解决方案:严格控制器件的工作电压和电流,确保不超过其绝对最大额定值。

    - 问题三:开关速度不够快。
    - 解决方案:优化栅极驱动电路,确保快速而稳定的开关操作。

    总结和推荐


    IPD60R3K3C6是一款高性能的N-通道MOSFET晶体管,具有低导通电阻、快速切换能力和高度可靠性等特点。其广泛的适用范围和出色的性能使其成为开关电源、逆变器和电机驱动等领域的理想选择。我们强烈推荐使用IPD60R3K3C6,在满足设计要求的同时,提供卓越的性能和可靠性。
    更多详细信息和技术支持,请访问 [ISC半导体官网](www.iscsemi.cn)。

IPD60R3K3C6参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
FET类型 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-252

IPD60R3K3C6厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IPD60R3K3C6数据手册

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ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 IPD60R3K3C6 IPD60R3K3C6数据手册

IPD60R3K3C6封装设计

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