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IPD60R280P7S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 625W(Tc) 30V 5V@ 250µA 137nC@ 10 V 2个N沟道 500V 120mΩ@ 22.5A,10V 45A 6.63nF@ 25V
供应商型号: IPD60R280P7S DPAK/TO-252
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) IPD60R280P7S

IPD60R280P7S概述


    产品简介


    IPD60R280P7S 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET 晶体管,广泛应用于硬开关和软开关电路中。其卓越的性能使其成为多种电源管理和电机控制应用的理想选择。此款晶体管具有低导通电阻(RDS(on) ≤ 0.28Ω)和增强模式操作,适用于各种苛刻的工作环境。此外,其高可靠性、极小的批次间差异以及 100% 的雪崩测试确保了长期稳定运行。

    技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 (Min.) | 典型值 (Typ.) | 最大值 (Max.) | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | - | 600 | - | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 3 | 4 | - | V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | - | 0.28 | - | Ω |
    | 栅源漏电流 | IGSS | - | 1 | - | μA |
    | 漏源漏电流 | IDSS | - | 1 | - | μA |
    | 击穿温度 | Tj Max. | - | 150 | - | ℃ |
    绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDSS): 600 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 连续漏电流 (ID): 12 A
    - 单脉冲漏电流 (IDM): 36 A
    - 总功耗 (PD): 53 W(@TC=25℃)
    - 存储温度范围 (Tstg): -40~150 ℃
    热阻参数:
    - 结到外壳热阻 (Rth(j-c)): 2.36 ℃/W
    - 结到环境热阻 (Rth(j-a)): 62 ℃/W

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:RDS(on) ≤ 0.28Ω,显著降低了功耗并提升了效率。
    2. 增强模式操作:简化驱动电路设计,降低整体系统复杂度。
    3. 高可靠性:100% 雪崩测试通过,确保极端条件下的稳定性。
    4. 极小的批次间差异:保证了生产的一致性和设备的长期可靠运行。
    5. 适用性强:适合硬开关和软开关电路,广泛应用于电源管理、电机驱动等领域。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源管理:适用于高效直流-直流转换器和逆变器。
    - 电机驱动:用于工业自动化中的马达控制。
    - 消费电子:如笔记本电脑适配器和手机快充模块。
    使用建议:
    1. 在使用时需注意散热设计,避免因过热导致性能下降。
    2. 确保驱动电路设计合理,以减少栅极振铃现象。
    3. 遵循绝对最大额定值限制,防止电压、电流超过安全范围。

    兼容性和支持


    IPD60R280P7S 与大多数主流控制器和驱动芯片完全兼容,支持 SMD 封装,便于焊接和组装。制造商提供全面的技术文档和支持服务,包括样本请求、在线技术支持及售后服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:导通电阻异常增大。
    解决方案:检查是否存在焊接不良或散热不足的情况。
    2. 问题:器件发热严重。
    解决方案:优化散热设计,增加散热片或风扇。
    3. 问题:启动后无法正常工作。
    解决方案:验证驱动信号是否正确,检查电路连接。

    总结和推荐


    总体而言,IPD60R280P7S 是一款性能优异、可靠性高的 N 沟道 MOSFET 晶体管。其低导通电阻、高可靠性及广泛的适用性使其成为众多领域的优选方案。建议在需要高效能和高可靠性的场合优先考虑此款产品。对于设计工程师而言,该器件是一个值得信赖的选择。
    推荐指数:★★★★★

IPD60R280P7S参数

参数
最大功率耗散 625W(Tc)
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 120mΩ@ 22.5A,10V
FET类型 2个N沟道
栅极电荷 137nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.63nF@ 25V
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 500V
Vgs-栅源极电压 30V
Id-连续漏极电流 45A

IPD60R280P7S厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IPD60R280P7S数据手册

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ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 IPD60R280P7S IPD60R280P7S数据手册

IPD60R280P7S封装设计

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