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IPB019N06L3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: IPB019N06L3 D??PAK/TO-263
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) IPB019N06L3

IPB019N06L3概述

    电子元器件产品技术手册:IPB019N06L3 N-Channel MOSFET

    产品简介


    IPB019N06L3 是由 INCHANGE Semiconductor(简称 INCHANGE)生产的 N 沟道 MOSFET 晶体管。这款晶体管主要用于电源管理和开关应用,具备高开关速度、低栅极输入电阻等特点,易于使用且可靠性高。广泛应用于各种电力转换系统中,包括但不限于电源管理、电机控制等领域。

    技术参数


    | 参数符号 | 参数名称 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: | :: | :: | :: |
    | VDSS | 漏源电压 | - | 60 | - | V |
    | VGSS | 栅源电压 | - | ±20 | - | V |
    | ID | 漏极连续电流 | Tc=25℃ | - | 120 | - | A |
    | IDM | 单脉冲漏极电流 | - | - | - | 480 | A |
    | PD | 总耗散功率 | - | - | - | 250 | W |
    | Tj | 工作结温 | - | - | 175 | - | ℃ |
    | Tstg | 存储温度 | - | -55 | - | 175 | ℃ |
    | 参数符号 | 参数名称 | 最大单位 |
    | :: | :: | :: |
    | Rth(ch-c) | 结至外壳热阻 | 0.6 | ℃/W |
    | Rth(ch-a) | 结至环境热阻 | 40 | ℃/W |
    | 参数符号 | 参数名称 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: | :: | :: | :: |
    | BVDSS | 漏源击穿电压 | VGS=0V; ID=1mA | - | 60 | - | V |
    | VGS(th) | 栅阈电压 | VDS=VGS; ID=0.196mA | 1.2 | 2.2 | - | V |
    | RDS(on) | 导通电阻 | VGS=10V; ID=100A | - | 1.6 | 1.9 | mΩ |
    | IGSS | 栅源泄漏电流 | VGS=±20V; VDS=0V | - | ±0.1 | - | μA |
    | IDSS | 漏源泄漏电流 | VDS=60V; VGS=0V; Tc=25℃ | - | 3 | - | μA |
    | VSDF | 二极管正向电压 | ISD=100A, VGS=0V | 0.9 | - | 1.2 | V |

    产品特点和优势


    IPB019N06L3 具备多个独特的特性和优势,使其在市场上脱颖而出。首先,它采用了 TO-263(D2PAK)封装,便于安装和使用。其次,这款 MOSFET 的开关速度非常快,能够有效提高电路的工作效率。此外,它的低栅极输入电阻使得驱动更为简便。最重要的是,它通过了 100% 雪崩测试,确保了产品的可靠性和稳健性。最后,它还具有最小批次间变化的优势,进一步提升了设备的整体性能和稳定性。

    应用案例和使用建议


    IPB019N06L3 在实际应用中表现出色。例如,在一个典型的电源转换系统中,它可以作为主开关器件,帮助实现高效的电力转换和调节。根据技术手册中的应用实例,我们推荐用户在选择合适的散热片时考虑器件的热阻特性。对于长期连续工作的场景,用户应该选择适当的散热措施,以保证器件在高温环境下也能正常运行。

    兼容性和支持


    INCHANGE 提供了全方位的技术支持和服务,确保用户能够顺利地使用 IPB019N06L3。该产品与其他标准 N 沟道 MOSFET 在电气特性和引脚配置上保持兼容,因此可以轻松集成到现有的设计中。同时,用户还可以通过 INCHANGE 官方网站获取详细的产品文档、设计指南和技术支持资源,以便更好地了解和使用这款产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:器件在高温下表现不佳?
    解决方案:选择合适的散热方案并确保良好的散热条件。

    2. 问题:开关速度不够快?
    解决方案:检查驱动信号的频率和强度,必要时调整电路设计。

    3. 问题:栅极噪声干扰严重?
    解决方案:增加滤波电容以减少噪声干扰,或者优化布线以降低噪声耦合。

    总结和推荐


    综上所述,INCHANGE 的 IPB019N06L3 N-Channel MOSFET 是一款高性能、可靠的电子元器件。它的高效能、优良的可靠性和广泛的适用性使其成为许多电源管理和开关应用的理想选择。我们强烈推荐这一产品给需要高效电力转换解决方案的设计工程师和制造商。

IPB019N06L3参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
FET类型 -

IPB019N06L3厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IPB019N06L3数据手册

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ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 IPB019N06L3 IPB019N06L3数据手册

IPB019N06L3封装设计

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