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IPB65R190CFD

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: IPB65R190CFD D??PAK/TO-263
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) IPB65R190CFD

IPB65R190CFD概述

    Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB65R190CFD 技术手册

    产品简介


    Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB65R190CFD 是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于各种电力转换和控制电路中。此款MOSFET采用了To-263(D2PAK)封装形式,以其低输入电容、低栅极电荷和高可靠性而著称,适用于开关电源和其他电力转换应用场合。

    技术参数


    以下是这款MOSFET的主要技术参数和性能指标:
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DSS} \): 650 V
    - 栅源电压 \( V{GSS} \): ±30 V
    - 持续漏电流 \( ID \) (25°C): 17.5 A (100°C): 11 A
    - 单脉冲耐受电流 \( I{DM} \): 57.2 A
    - 最大耗散功率 \( PD \) (25°C): 151 W
    - 最大工作结温 \( T{ch} \): 150°C
    - 存储温度范围 \( T{stg} \): -55°C ~ 150°C
    - 热特性
    - 结到外壳热阻 \( R{th(ch-c)} \): 0.83°C/W
    - 结到环境热阻 \( R{th(ch-a)} \): 62°C/W
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压 \( BVDSS \): 650 V
    - 栅阈值电压 \( V{GS(th)} \): 3.5 V ~ 4.5 V
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \): 171 mΩ ~ 190 mΩ (10V)
    - 栅源漏电流 \( IGSS \): ±0.1 μA (±20V)
    - 漏源漏电流 \( IDSS \): 5 μA ~ 250 μA (650V, 0V)
    - 二极管正向电压 \( VSDF \): 0.9 V (ISD=11A)

    产品特点和优势


    - 低输入电容和低栅极电荷:这些特性使得MOSFET在高频应用中表现优异,有助于减少能量损失。
    - 低栅极输入电阻:简化了驱动电路的设计,降低了对外部驱动电路的需求。
    - 100%雪崩测试:确保产品的耐用性和可靠性。
    - 最小批次间差异:保证了批量生产的一致性和稳定性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    这款MOSFET非常适合用于各种电力转换应用,如开关电源、电机驱动和逆变器等。特别是在需要高电压和电流的应用场合,例如太阳能逆变器、电动汽车充电站等。
    使用建议
    为了获得最佳性能,应确保散热良好,避免过热。合理选择散热片或冷却系统,以维持在安全的工作温度范围内。此外,选择合适的驱动电路来提供足够的门极驱动信号,以确保快速和准确的开关操作。

    兼容性和支持


    这款MOSFET具有良好的兼容性,可以与其他标准驱动器和控制器一起使用。厂商提供了详细的技术文档和支持服务,确保用户能够充分利用其性能并解决潜在问题。

    常见问题与解决方案


    - Q: 在高温环境下工作时,如何确保可靠运行?
    - A: 应确保采用有效的散热措施,如加装散热片或使用水冷系统,以保持在允许的工作温度范围内。
    - Q: 如何避免过高的栅极泄漏电流?
    - A: 确保门极驱动信号足够强,以防止门极氧化膜失效。同时,遵循制造商提供的驱动电路设计指南。
    - Q: 如何测量漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \)?
    - A: 可以通过万用表或其他专用仪器,在规定条件下测量 \( R{DS(on)} \),确保准确性。

    总结和推荐


    Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB65R190CFD 是一款出色的MOSFET产品,具备高性能和高可靠性,特别适合于电力转换和控制系统。其低输入电容、低栅极电荷和广泛的温度适应性使其成为许多应用的理想选择。我们强烈推荐这款产品,特别是对于需要高电压和电流的应用场景。

IPB65R190CFD参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -

IPB65R190CFD厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IPB65R190CFD数据手册

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ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 IPB65R190CFD IPB65R190CFD数据手册

IPB65R190CFD封装设计

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