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BUZ201

产品分类:
产品描述:
供应商型号: BUZ201 TO-3
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体  BUZ201

BUZ201概述

    BUZ201 N-Channel MOSFET Transistor 技术手册

    产品简介


    BUZ201 是一款 N-Channel MOSFET 晶体管,广泛应用于各种电力转换和驱动应用中。它以其低导通电阻(RDS(on))和高开关速度而著称,特别适合于需要高速和低门极驱动功率的应用场合,如开关调节器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及用于大功率双极开关晶体管的驱动器。

    技术参数


    BUZ201 的关键技术和电气特性如下表所示:
    | 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: | :: | :: | :: |
    | V(BR)DSS | 源漏击穿电压 | VGS=0; ID=0.25mA | - | - | 400 | V |
    | VGS(th) | 门限电压 | VDS=VGS; ID=1mA | 2.1 | - | 4.0 | V |
    | VSD | 二极管正向导通电压 | IS=25A; VGS=0 | - | - | 1.7 | V |
    | RDS(on) | 源漏导通电阻 | VGS=10V; ID=8A | - | - | 0.4 | Ω |
    | IGSS | 门体泄漏电流 | VGS=±20V; VDS=0 | - | - | ±100 | nA |
    | IDSS | 零门电压漏电流 | VDS=400V; VGS=0 | - | - | 250 | µA |
    | Gfs | 正向跨导 | VDS=25V; ID=8A | - | 3.3 | S |
    | td(on) | 导通延迟时间 | VGS=10V; ID=2.9A; VDD=30V; RGS=50Ω | - | - | 75 | ns |
    | tr | 上升时间 | - | - | - | 120 | ns |
    | td(off) | 关断延迟时间 | - | - | - | 430 | ns |
    | tf | 下降时间 | - | - | - | 140 | ns |
    绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDSS): 400V
    - 门源电压 (VGS): ±20V
    - 持续漏电流 (ID): 12.5A
    - 单脉冲漏电流 (IDM): 50A
    - 总耗散功率 (Ptot): 125W
    - 最大结温 (Tj): 150℃
    - 存储温度范围 (Tstg): -55℃~150℃
    热阻参数:
    - 结到壳热阻 (Rth j-c): 1℃/W
    - 结到环境热阻 (Rth j-a): 35℃/W

    产品特点和优势


    - 低导通电阻: RDS(on) = 0.4Ω,确保较低的导通损耗。
    - 高输入阻抗: 有助于减少门极驱动功率。
    - 高开关速度: 适用于高速开关应用。
    - 低门极驱动功率: 减少系统功耗。
    - 最小批间变化: 提供更稳定和可靠的操作性能。

    应用案例和使用建议


    BUZ201 可以应用于多种电路中,如开关电源、电机控制和驱动、继电器驱动等。在具体使用时,需要注意以下几点:
    - 在开关电源设计中,合理选择门极电阻,以平衡开关时间和降低EMI。
    - 在电机驱动应用中,考虑散热设计以避免过热。
    - 在高频率应用中,注意门极电容和线路电感对开关性能的影响。

    兼容性和支持


    BUZ201 具有一定的通用性,可以与多种驱动电路兼容。制造商提供全面的技术支持和质量保证,包括产品认证和用户手册。对于特殊应用,请直接联系制造商咨询。

    常见问题与解决方案


    1. 问:BUZ201 是否具有过温保护功能?
    - 答:BUZ201 本身没有过温保护功能,需要外部电路实现保护。
    2. 问:BUZ201 在高湿度环境中能否正常工作?
    - 答:可以在存储温度范围内工作,但在使用时需注意防护措施。
    3. 问:如何测试 BUZ201 的漏电流?
    - 答:使用标准万用表测量,在零门电压下测试漏电流。

    总结和推荐


    BUZ201 N-Channel MOSFET 晶体管凭借其出色的性能参数和广泛应用潜力,是一款值得推荐的产品。其低导通电阻、高开关速度和可靠的批间一致性使其成为众多电力转换和驱动应用的理想选择。推荐在需要高性能 MOSFET 的项目中使用此产品。

BUZ201厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

BUZ201数据手册

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ISC/无锡固电半导体 ISC/无锡固电半导体 BUZ201 BUZ201数据手册

BUZ201封装设计

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