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IRF820FI

产品分类:
产品描述: N-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: IRF820FI TO-220F
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体  IRF820FI

IRF820FI概述


    产品简介


    产品类型
    IRF820FI 是一款N沟道MOSFET晶体管,适用于高电流和高速开关应用。
    主要功能
    - 低RDS(on):具有非常低的导通电阻(典型值为2.5Ω),可有效减少功耗并提高效率。
    - 快速开关速度:具备快速开关性能,适用于需要频繁切换的应用场合。
    - 输入电容较低:降低输入电容有助于减少驱动电路的复杂性。
    - 改善的栅极电荷:减小了栅极电荷,进一步提高了开关速度。
    - 批间差异小:最小化批间差异,确保产品的稳定性和可靠性。
    应用领域
    - 开关模式电源供应
    - DC-DC转换器
    - DC-AC转换器
    - 一般电子设备中的高速开关应用

    技术参数


    绝对最大额定值(Ta=25℃)
    | 符号 | 参数 | 值 | 单位 |
    ||
    | VDSS | 漏源电压 (VGS=0) | 500 | V |
    | VGS | 栅源电压 | ±20 | V |
    | ID | 漏极连续电流 @ TC=25℃ | 2.2 | A |
    | IDM | 单脉冲漏极电流 | 12 | A |
    | Ptot | 总功耗 @ TC=25℃ | 35 | W |
    | Tj | 最大工作结温 | 150 | ℃ |
    | Tstg | 存储温度范围 | -65~150 | ℃ |
    热特性
    | 符号 | 参数 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | Rth j-c | 热阻,结到外壳 | 3.57 | ℃/W |
    | Rth j-a | 热阻,结到环境 | 62.5 | ℃/W |
    电气特性(TC=25℃)
    | 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | V(BR)DSS | 漏源击穿电压 | VGS=0; ID=0.25mA | 500 | V |
    | VGS(th) | 栅阈电压 | VDS=VGS; ID=0.25mA | 2.0 | 4.0 | V |
    | VSD | 二极管正向导通电压 | IS=3A; VGS=0 | 1.6 | V |
    | RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS=10V; ID=1.5A | 2.5 | 3.0 | Ω |
    | IGSS | 栅体漏电流 | VGS=±20V; VDS=0 | ±100 | nA |
    | IDSS | 零栅电压漏电流 | VDS=500V; VGS=0 | 250 | µA |
    | Gfs | 正向跨导 | VDS=25V;ID=1.5A | 0.8 | S |
    | td(on) | 开启延时时间 | ID=1.5A; VDD=250V; RG=50Ω | 45 | ns |
    | tr | 上升时间 | - | 110 | ns |
    | td(off) | 关闭延时时间 | - | 215 | ns |
    | tf | 下降时间 | - | 80 | ns |

    产品特点和优势


    - 低RDS(on):低导通电阻显著减少了功耗,提高了能效。
    - 快速开关速度:快速的开关性能非常适合高频应用。
    - 较低的输入电容:简化了驱动电路的设计。
    - 改进的栅极电荷:提高了整体性能。
    - 稳定的批间差异:确保了每个批次的产品具有高度的一致性,提升了可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IRF820FI 在多种高速开关应用中表现出色,例如在开关电源和DC-DC转换器中提供高效的电能转换。此外,它也广泛应用于通信设备、工业控制系统等领域。
    使用建议
    - 在使用过程中,应确保散热设计合理,以避免因过热而导致性能下降。
    - 在选择驱动电路时,应注意匹配合适的驱动电阻,以保证开关速度。
    - 在系统设计中,合理布置PCB布局,避免寄生电感对器件性能的影响。

    兼容性和支持


    兼容性
    IRF820FI 具有良好的兼容性,可以与其他主流MOSFET晶体管配套使用。请参考具体设备的数据手册,确保正确匹配。
    支持和维护
    厂商提供全面的技术支持和售后服务,如有任何技术问题,可以随时联系厂商进行咨询和解决方案获取。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 如何选择合适的驱动电阻?
    - 解决方案:根据数据手册中的建议,选择合适的驱动电阻,通常需要通过实验确定最佳值。
    2. 在高温环境下使用时需要注意什么?
    - 解决方案:确保散热设计足够,避免因过热导致性能下降。可以使用散热片或其他散热装置来增强散热效果。
    3. 如何处理过压保护?
    - 解决方案:添加外部保护电路(如瞬态电压抑制二极管)以防止过电压损坏器件。

    总结和推荐


    综合评估
    IRF820FI N沟道MOSFET晶体管以其出色的性能和可靠的表现,成为高速开关应用的理想选择。其低导通电阻、快速开关速度、较低的输入电容以及稳定的批间差异使其在市场上具有很高的竞争力。
    推荐使用
    强烈推荐IRF820FI用于需要高电流和高速开关的应用场合,特别是在开关电源、DC-DC转换器和其他需要高效能的电子设备中。

IRF820FI厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IRF820FI数据手册

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ISC/无锡固电半导体 ISC/无锡固电半导体 IRF820FI IRF820FI数据手册

IRF820FI封装设计

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