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FDP51N25

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 40nC 2个N沟道 250V 51A 3.41nF@ 25V TO-220
供应商型号: FDP51N25 TO-220
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) FDP51N25

FDP51N25概述

    FDP51N25 N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FDP51N25 是一款由 ISC Semiconductor 提供的高性能 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这类 MOSFET 主要应用于电机驱动、DC-DC 转换器、电源开关及电磁阀驱动等领域。FDP51N25 的设计使其能够承受高电压和大电流,适用于多种高压和大功率的应用场合。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - VDSS(漏源击穿电压):250 V
    - VGS(栅源电压):±30 V
    - ID(连续漏极电流):51 A
    - IDM(单脉冲漏极电流):204 A
    - PD(总耗散功率):320 W @ TC=25℃
    - TJ(最大结温):150 ℃
    - Tstg(存储温度范围):-55~150 ℃

    - 热阻
    - Rth j-c(结到外壳热阻):0.39 ℃/W

    - 电气特性
    - V(BR)DSS(漏源击穿电压):250 V @ VGS= 0; ID= 0.25 mA
    - VGS(th)(栅阈值电压):3.0~5.0 V @ VDS= VGS; ID= 0.25 mA
    - RDS(on)(漏源导通电阻):60 mΩ @ VGS= 10V; ID= 25.5 A
    - IGSS(栅体泄漏电流):±100 nA @ VGS= ±30V; VDS= 0
    - IDSS(零栅电压漏极电流):1 uA @ VDS=250V; VGS= 0
    - VSD(正向导通电压):1.5 V @ IS=51A; VGS= 0

    3. 产品特点和优势


    FDP51N25 具有以下显著特点和优势:
    - 高可靠性:经过 100% 雪崩测试,确保产品具有良好的可靠性和稳定性。
    - 低漏源导通电阻:RDS(on) 最大为 60 mΩ,保证了较低的导通损耗。
    - 稳定的性能:低批次间差异,确保每批次的产品性能一致。
    - 宽泛的工作温度范围:-55~150 ℃,适应各种严苛的环境条件。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电机驱动:适用于电动工具、工业机器人等设备的电机控制。
    - DC-DC 转换器:广泛用于电源系统,提高转换效率。
    - 电源开关:在各种电源管理电路中作为关键的开关元件。
    - 电磁阀驱动:适用于自动化控制系统中的电磁阀驱动。
    使用建议:
    - 确保在规定的电压和电流范围内使用,避免过载损坏。
    - 保持适当的散热措施,特别是在高功率应用中。
    - 定期检查连接和焊接点,确保接触良好。

    5. 兼容性和支持


    FDP51N25 与市面上常见的电子设备和其他元器件具有良好的兼容性,可以方便地集成到现有系统中。ISC Semiconductor 提供详细的技术文档和支持服务,包括产品的技术咨询、故障排除和维修服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何防止 FDP51N25 过热?
    - A: 使用散热器或其他散热方法,如加装风扇进行强制冷却,以降低温度。

    - Q: FDP51N25 的栅极如何正确接线?
    - A: 确保栅极通过适当的栅极电阻进行接线,避免因瞬时电流过大导致损坏。

    - Q: 何时会出现栅源电压过高的情况?
    - A: 当负载发生变化时,可能导致栅源电压过高。使用缓冲电路可以有效保护 MOSFET。

    7. 总结和推荐


    综上所述,FDP51N25 N-Channel MOSFET 具有出色的电气特性和高可靠性,适合多种高压和大功率应用场合。其低漏源导通电阻和宽泛的工作温度范围使其成为电机驱动、电源开关等应用的理想选择。强烈推荐在相关项目中使用这款产品,特别是在需要高性能和高可靠性的场合。

FDP51N25参数

参数
FET类型 2个N沟道
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 250V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 40nC
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.41nF@ 25V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 51A
通用封装 TO-220
应用等级 工业级
零件状态 在售

FDP51N25厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

FDP51N25数据手册

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ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 FDP51N25 FDP51N25数据手册

FDP51N25封装设计

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