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IRLR024N

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 20V 12A
供应商型号: IRLR024N DPAK/TO-252
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) IRLR024N

IRLR024N概述

    电子元器件产品技术手册解析

    产品简介


    本次解析的产品是ISC的N-Channel MOSFET Transistor(N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管),具体型号为IRLR024N和IIRLR024N。这类器件主要用于电源管理、电机控制、汽车电子、消费电子等领域。N沟道MOSFET以其快速开关能力和低导通电阻(RDS(on))著称,特别适用于需要高效能功率转换的应用场合。

    技术参数


    1. 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDSS): 55 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 连续漏极电流 (ID): 17 A
    - 单脉冲漏极电流 (IDM): 72 A
    - 总耗散功率 (PD): 45 W (@TC=25℃)
    - 最大工作结温 (Tj): 175 ℃
    - 存储温度范围 (Tstg): -55~175 ℃
    2. 热特性
    - 结至外壳热阻 (Rth(j-c)): 3.3 ℃/W
    - 结至环境热阻 (Rth(j-a)): 110 ℃/W
    3. 电气特性
    - 漏源击穿电压 (BVDSS): 55 V
    - 栅阈电压 (VGS(th)): 1~2 V
    - 导通电阻 (RDS(on)): ≤65 mΩ (@VGS=10V; ID=10A)
    - 栅源泄漏电流 (IGSS): ±0.1 μA (@VGS=±16V)
    - 漏源泄漏电流 (IDSS): 25 μA (@VDS=55V; VGS=0V)
    - 二极管正向电压 (VSD): 1.3 V (@Is=11A; VGS=0V)

    产品特点和优势


    IRLR024N和IIRLR024N的最大优势在于其出色的开关性能和低导通电阻,使得它们非常适合应用于高效率的功率转换电路中。这些MOSFET经过100%雪崩测试,确保了其耐用性和可靠性,同时由于最小的批次间差异,保证了稳定的性能表现。此外,这些产品具有广泛的温度范围,可在各种恶劣环境下稳定运行。

    应用案例和使用建议


    这类MOSFET广泛应用于电源管理和电机控制等领域。例如,在一个电源转换器设计中,通过选择合适的驱动电路和散热措施,可以最大化其性能。建议在高温环境中使用时,注意散热设计,以防止过热导致的性能下降或损坏。对于需要高效率的应用场合,可以考虑并联多个MOSFET来进一步降低整体电阻,从而提高效率。

    兼容性和支持


    ISC官方提供了详细的技术支持文档和客户服务中心,用户可以在需要时获得帮助。关于产品与其他电子元器件的兼容性,需根据具体的设计要求进行评估。通常,只要遵循制造商提供的指导原则,这些MOSFET可以与大多数标准电子设备良好兼容。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何确定合适的栅极驱动电压?
    - A: 一般建议使用至少高于阈值电压2-3倍的栅极电压,以确保足够的门控电流。例如,若VGS(th)为2V,则使用5V的栅极驱动电压是一个安全的选择。
    - Q: 在高温环境下如何避免MOSFET损坏?
    - A: 使用适当的散热设计,如增加散热片或采用强制冷却措施(如风扇)。同时,确保工作温度不超过其最大允许值,即175℃。

    总结和推荐


    总的来说,IRLR024N和IIRLR024N N-Channel MOSFET因其高效的功率转换能力和卓越的可靠性,成为了众多应用场景的理想选择。虽然其价格可能略高于一些基本型号,但考虑到其优越的性能和较长的使用寿命,这是一笔值得的投资。如果您正在寻找一种可靠的高性能MOSFET用于高效率电源转换或电机控制应用,强烈推荐考虑这款产品。

IRLR024N参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 20V
配置 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 12A
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -

IRLR024N厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IRLR024N数据手册

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ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 IRLR024N IRLR024N数据手册

IRLR024N封装设计

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