处理中...

首页  >  产品百科  >  IRFU120N

IRFU120N

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: IRFU120N IPAK/TO-251
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) IRFU120N

IRFU120N概述


    产品简介


    isc N-Channel MOSFET Transistor IRFU120N 是一款高性能的场效应晶体管(MOSFET),主要用于电源管理和控制应用。它采用TO-251封装形式,适合于需要高速开关性能的应用场合。IRFU120N的主要功能包括高电压承受能力、低导通电阻和良好的热稳定性,适用于各种功率管理电路设计。
    主要应用领域:
    - 电源转换
    - 直流-直流变换器
    - 电机控制
    - 开关应用
    - 制动系统(ABS)

    技术参数


    以下是IRFU120N的技术规格和电气特性,这些参数是确保其高效运行的基础:
    | 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | VDSS | 漏极-源极击穿电压 | VGS=0V; ID=0.25mA | 100 100 | V |
    | VGS(th) | 门极-源极阈值电压 | VDS=VGS; ID=0.25mA | 2.0 4.0 | V |
    | RDS(on) | 漏极-源极导通电阻 | VGS=10V; ID=5.6A 210 mΩ |
    | IGSS | 门极-源极漏电流 | VGS=±20V; VDS=0V | ±0.1 μA |
    | IDSS | 漏极-源极漏电流 | VDS=100V; VGS=0V; Tj=25℃ 20 | μA |
    | VSDF | 二极管正向电压 | ISD=5.5A, VGS=0V 1.3 | V |
    绝对最大额定值如下:
    | 符号 | 参数 | 值 | 单位 |

    | VDSS | 漏极-源极电压 | 100 | V |
    | VGSS | 门极-源极电压 | ±20 | V |
    | ID | 持续漏极电流 | 9.4 | A |
    | IDM | 单脉冲漏极电流 | 38 | A |
    | PD | 总耗散功率 | 48 | W |
    | Tj | 工作结温 | -55 ~ 175 | ℃ |
    | Tstg | 存储温度 | -55 ~ 175 | ℃ |
    热特性参数如下:
    | 符号 | 参数 | 最大值 | 单位 |

    | Rth(ch-c) | 渠道到外壳热阻抗 | 3.1 | ℃/W |
    | Rth(ch-a) | 渠道到环境热阻抗 | 50 | ℃/W |

    产品特点和优势


    IRFU120N具有以下几个显著的优势:
    - 高可靠性:通过100%的雪崩测试,保证了其在高压环境下的稳定性和可靠性。
    - 易于使用:拥有较低的门极-源极阈值电压,使其易于驱动。
    - 低功耗:优秀的漏极-源极导通电阻(RDS(on))降低了损耗,提高了能效。
    - 低漏电流:门极-源极漏电流极低,进一步提升了产品的可靠性。

    应用案例和使用建议


    实际使用场景
    IRFU120N非常适合用于电源转换器、直流-直流变换器等应用中。例如,在一个简单的降压电路中,IRFU120N可以作为开关管使用,其高开关速度和低导通电阻可以有效降低能量损耗,提高整体效率。
    使用建议
    - 确保散热良好,尤其是在高负载情况下,使用散热片或风扇增强散热效果。
    - 在设计时考虑IRFU120N的工作温度范围,确保其工作温度不超过绝对最大值。
    - 使用适当的栅极驱动电路,避免由于过高的栅极电压导致损坏。

    兼容性和支持


    IRFU120N与其同类MOSFET一样,可以方便地替换其他品牌的产品。厂商提供了全面的技术支持,包括产品选型指南、应用笔记和技术文档,以帮助用户更好地利用这款产品。

    常见问题与解决方案


    常见问题与解决方法
    1. Q: 如何判断IRFU120N是否损坏?
    - A: 测量其漏极-源极导通电阻(RDS(on)),如果测量值远高于典型值,可能是损坏。
    2. Q: 在高频率应用中,如何降低IRFU120N的开关损耗?
    - A: 使用低电感栅极驱动电路,并优化电路布局以减少寄生电感,从而降低开关损耗。
    3. Q: IRFU120N的最大工作温度是多少?
    - A: 最大工作温度为175℃,但建议在实际应用中不要超过此值以延长寿命。

    总结和推荐


    总的来说,isc IRFU120N是一款高性能、高可靠性的N-Channel MOSFET。它的低导通电阻、高开关速度以及良好的热稳定性使其成为许多功率管理应用的理想选择。无论是电源转换还是电机控制,IRFU120N都表现出色。尽管其价格相对较高,但考虑到其卓越的性能和可靠性,我们非常推荐在关键应用中使用该产品。

IRFU120N参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
FET类型 -
通道数量 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -

IRFU120N厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IRFU120N数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 IRFU120N IRFU120N数据手册

IRFU120N封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 3.75
4200+ ¥ 2.4
库存: 84000
起订量: 5 增量: 4200
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 18.75
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336