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IRFR9N20D

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: IRFR9N20D DPAK/TO-252
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) IRFR9N20D

IRFR9N20D概述


    产品简介


    isc N-Channel MOSFET Transistor IRFR9N20D, IIRFR9N20D 是一款高性能的N沟道增强型MOSFET晶体管。它具有高频率开关能力,适用于各种高频直流-直流转换器。该产品通过100%雪崩测试,确保了稳定性和可靠性。此外,该晶体管具有较低的漏源导通电阻(RDS(on)),可以实现高效能转换,特别适合于高效率电源管理和电机控制等领域。

    技术参数


    - 额定电压:VDSS(漏源电压)最大为200V。
    - 栅极电压:VGS(栅源电压)范围为±30V。
    - 连续电流:ID(漏极电流)为9.4A。
    - 单脉冲电流:IDM(单脉冲电流)为38A。
    - 功率耗散:PD(总耗散功率)在环境温度为25℃时为86W。
    - 热阻抗:
    - Rth(j-c)(芯片到外壳的热阻抗)为1.75℃/W。
    - Rth(j-a)(芯片到环境的热阻抗)为110℃/W。
    - 其他电气特性:
    - BVDSS(漏源击穿电压)为200V。
    - VGS(th)(门限电压)典型值为4.25V,范围在3至5.5V之间。
    - RDS(on)(漏源导通电阻)在VGS=10V时典型值为380mΩ。
    - IGSS(门泄漏电流)最大值为±0.1μA。
    - IDSS(漏源泄漏电流)最大值为25μA。
    - VSD(二极管正向电压)在Is=5.6A,VGS=0V时为1.3V。

    产品特点和优势


    1. 低漏源导通电阻(RDS(on)):低电阻特性使其适用于需要高效率的应用。
    2. 100%雪崩测试:增强了产品的稳定性和可靠性。
    3. 低温升设计:优秀的热阻抗特性有助于散热,延长使用寿命。
    4. 增强模式:简化了电路设计,易于驱动。
    5. 最小批次间差异:确保了一致的产品性能和可靠的运行。

    应用案例和使用建议


    该MOSFET广泛应用于高频直流-直流转换器、电源管理、电机控制等应用领域。为了充分发挥其性能,在使用时应注意以下几点:
    1. 选择合适的散热片:考虑到较大的功率耗散,建议使用适当的散热片以提高散热效果。
    2. 布局优化:在PCB设计时,尽量减少走线长度,避免过大的寄生电感和电容,以减小电磁干扰。
    3. 驱动电路优化:选择合适的驱动器,确保MOSFET快速切换,减少开关损耗。

    兼容性和支持


    该MOSFET可与其他标准N沟道MOSFET兼容。ISC公司提供全面的技术支持和售后服务,确保客户在使用过程中得到必要的帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何选择合适的散热片?
    - 解决办法:根据计算出的功耗和热阻选择合适尺寸的散热片。可以通过查阅相关的热管理资料来确定。
    2. 问题:如何优化驱动电路?
    - 解决办法:选择合适的驱动器并优化驱动信号,确保MOSFET的快速开关,减少开关损耗。此外,增加门极电阻以减小干扰。

    总结和推荐


    isc N-Channel MOSFET Transistor IRFR9N20D, IIRFR9N20D 是一款性能优越的N沟道MOSFET晶体管,具备低漏源导通电阻、高可靠性和良好的热稳定性等特点。其广泛的应用领域和较高的性价比使其成为电力电子领域的一个理想选择。我们强烈推荐在需要高效率电源管理和电机控制的应用中使用此产品。

IRFR9N20D参数

参数
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -

IRFR9N20D厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IRFR9N20D数据手册

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IRFR9N20D封装设计

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