处理中...

首页  >  产品百科  >  IXTA52P10P

IXTA52P10P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: IXTA52P10P D??PAK/TO-263
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) IXTA52P10P

IXTA52P10P概述


    产品简介


    IXTA52P10P P-Channel MOSFET晶体管是ISC Semiconductor公司推出的一款高性能P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它以其低导通电阻(RDS(on) ≤ 50mΩ)和高可靠性而著称,适用于多种应用场合,如高侧开关、电流调节器及自动测试设备。

    技术参数


    | 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: | :: | :: | :: |
    | VDSS | 漏源击穿电压 | VGS=0V; ID=-250μA | -100 V |
    | VGS(th) | 门阈电压 | VDS=VGS; ID=-250μA | -2.5 | -4.5 | V |
    | RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS=-10V; ID=-26A 50 | mΩ |
    | IGSS | 门漏电流 | VGS=±20V ±100 | nA |
    | IDSS | 漏源漏电流 | VDS=VDSS; VGS=0V | -10 | μA |
    | VDS=VDSS; VGS=0V; TJ=125℃ | -150 | μA |
    | VSD | 二极管正向电压 | IF=-26A; VGS=0V | -3.5 | V |
    绝对最大额定值
    | 符号 | 参数 | 条件 | 最大值 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: | :: |
    | VDSS | 漏源电压 | Ta=25℃ | -100 | V |
    | VGS | 门源电压 ±20 | V |
    | ID | 持续漏电流 | Ta=25℃ | -52 | A |
    | IDM | 脉冲漏电流 -130 | A |
    | PD | 总耗散功率 | Ta=25℃ | 300 | W |
    | Tj | 工作结温 -55~150 | ℃ |
    | Tstg | 存储温度 -55~150 | ℃ |
    热阻特性
    | 符号 | 参数 | 最大值 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: |
    | Rth(j-c) | 结到外壳热阻 | 0.42 | ℃/W |

    产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(on) ≤ 50mΩ):显著降低了器件在工作状态下的功耗,提高了系统效率。
    - 百分之百雪崩测试 (100% avalanche tested):确保了产品的耐用性和可靠性。
    - 最小批间差异:确保了从一批到另一批产品的一致性,提高了生产过程的可预测性和产品质量。
    - 宽工作温度范围 (-55°C 至 +150°C):使器件能够在极端环境中稳定运行,拓宽了应用范围。
    - 高瞬态电流处理能力:具备强大的脉冲漏电流处理能力 (IDM),使其能够应对各种瞬态状态下的负载要求。
    - 热稳定性:热阻抗相对较低 (Rth(j-c)=0.42°C/W),有助于有效散热,确保了长时间可靠运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 高侧开关:在电源管理和直流电机控制等领域广泛应用,能够高效地实现电路的开闭控制。
    - 电流调节器:在需要精确电流调节的应用中表现出色,可以保证电流的恒定输出。
    - 自动测试设备:用于测试设备中作为开关器件,确保测试精度和稳定性。
    使用建议
    - 在选择栅极驱动器时,要确保其输出电平符合IXTA52P10P的阈值电压范围,以保证正确的栅极驱动。
    - 高温环境应用时,考虑到温度对漏电流的影响,需要设计有效的热管理系统来确保工作温度不超过125°C。
    - 在安装过程中,要注意保持良好的散热条件,避免热积聚,例如使用散热片或风扇进行辅助散热。

    兼容性和支持


    根据技术手册的描述,没有具体提及与其他电子元器件或设备的兼容性信息。但为了确保最佳性能,建议在设计电路时详细阅读产品手册并咨询技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    - Q1:如何确定适当的栅极驱动电压?

    A1: 根据数据表中给出的门阈电压(VGS(th))范围,确保驱动电压位于合适的范围内(-2.5V至-4.5V),并留有足够的裕量以保证可靠的开启和关闭性能。
    - Q2:在高温环境下使用是否会损害器件性能?

    A2: 需要特别注意高温环境对器件性能的影响,尤其是在TJ达到125°C时,漏源漏电流(IDSS)会增大。确保良好的热管理措施,比如增加散热片或者改善空气流动,可以帮助缓解这一问题。

    总结和推荐


    总体而言,IXTA52P10P P-Channel MOSFET晶体管以其低导通电阻、出色的温度特性和强脉冲电流处理能力,在多个应用领域中表现出卓越的性能和可靠性。无论是在高侧开关还是电流调节器中,这款产品都能提供稳定的电流控制和开关性能。此外,其宽广的工作温度范围(-55°C至+150°C)也增强了其在各种苛刻环境下的适用性。尽管如此,对于特定应用,尤其是高温环境下的使用,我们建议在电路设计阶段咨询专业工程师的意见,并采取必要的散热措施。总之,IXTA52P10P P-Channel MOSFET晶体管是一款值得推荐的产品。

IXTA52P10P参数

参数
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -

IXTA52P10P厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IXTA52P10P数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 IXTA52P10P IXTA52P10P数据手册

IXTA52P10P封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 41.25
800+ ¥ 26.4
库存: 16000
起订量: 5 增量: 800
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 206.25
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504