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IXTM6N80A

产品分类:
产品描述: N-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: IXTM6N80A TO-3
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体  IXTM6N80A

IXTM6N80A概述

    电子元器件产品技术手册解析:IXTM6N80A N-Channel MOSFET

    1. 产品简介


    IXTM6N80A 是一款由ISC公司生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种高功率转换和驱动的应用场景。这款MOSFET具备出色的性能和可靠性,适合用于开关电源、直流-直流变换器、交流和直流电机驱动等领域。

    2. 技术参数


    | 参数 | 最小值 (Min) | 典型值 (Type) | 最大值 (Max) | 单位 |

    | 栅源电压(连续) | -20 | - | +20 | V |
    | 漏极电流(连续) | 6 | - | - | A |
    | 漏极电流(单脉冲) | - | - | 24 | A |
    | 漏极-源极击穿电压 | 800 | - | - | V |
    | 栅阈值电压 | 2 | - | 4.5 | V |
    | 漏极-源极导通电阻 | 1.4 | - | - | Ω |
    | 零栅压漏极电流 | - | - | 250 / 1000 | µA |
    | 堆栈温度 | -55 | - | +150 | ℃ |
    | 节点温度 | -55 | - | +150 | ℃ |
    | 热阻 (Junction to Case)| - | - | 0.7 | ℃/W |

    3. 产品特点和优势


    - 高耐压能力:IXTM6N80A的漏源电压可达800V,确保了其在高压应用中的稳定性和可靠性。
    - 低导通电阻:最大导通电阻仅为1.4Ω,显著降低了功耗并提高了效率。
    - 快速开关:具备快速开关能力,有助于提高电路的响应速度和效率。
    - 高可靠性:通过100%的雪崩测试,最大限度减少了批次间差异,保证了产品的长期稳定性。

    4. 应用案例和使用建议


    IXTM6N80A在多种高功率应用中表现出色,如开关电源和电机驱动。建议在高温环境下使用时注意散热设计,以确保长期可靠运行。此外,在需要高频切换的应用中,其快速开关特性可以充分发挥。

    5. 兼容性和支持


    IXTM6N80A具有广泛的适用性,可与其他标准N沟道MOSFET兼容,且厂商提供全面的技术支持和售后服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: IXTM6N80A能否承受800V电压?
    - A: 可以,IXTM6N80A的漏源电压(VDSS)为800V,适合于承受高电压的应用场合。

    - Q: 如何有效降低功耗?
    - A: 利用IXTM6N80A的低导通电阻特性,可以通过优化电路设计来减少功率损耗,提高整体能效。

    7. 总结和推荐


    IXTM6N80A以其高耐压能力、低导通电阻和高可靠性,成为许多高功率应用的理想选择。鉴于其优异的性能表现和广泛的应用领域,强烈推荐在需要高性能和高可靠性的项目中采用IXTM6N80A。

IXTM6N80A厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IXTM6N80A数据手册

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IXTM6N80A封装设计

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