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FDH50N50

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: FDH50N50 TO-247
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) FDH50N50

FDH50N50概述

    FDH50N50 N-Channel MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    FDH50N50 是一种 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、电机驱动、照明系统等领域。这种 MOSFET 具备优秀的开关性能和可靠性,能够满足各种电子设备的严格要求。

    技术参数


    | 符号 | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VDSS | 漏源电压 | 500 | - | 500 | V |
    | VGSS | 栅源电压 | ±20 | - | ±20 | V |
    | ID | 持续漏极电流 | 48 | - | 48 | A |
    | IDM | 单脉冲漏极电流 | - | - | 192 | A |
    | PD | 总耗散功率 | - | - | 625 | W |
    | Tj | 工作结温 | -55 | - | 150 | ℃ |
    | Tstg | 存储温度 | -55 | - | 150 | ℃ |
    | RDS(on) | 漏源导通电阻 | 89 | 105 | - | mΩ |
    热特性
    | 符号 | 参数 | 最大值 | 单位 |

    | Rth(ch-c) | 频道到外壳热阻 | 0.2 | ℃/W |
    电气特性
    | 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | BVDSS | 漏源击穿电压 | VGS=0V, ID=0.25mA | 500 | - | 500 | V |
    | VGS(th) | 栅阈电压 | VDS=VGS, ID=0.25mA | 3.0 | 5.0 | V |
    | RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS=10V, ID=24A | 89 | 105 | - | mΩ |
    | IGSS | 栅源泄漏电流 | VGS=±20V, VDS=0V | ±0.1 | - | μA |
    | IDSS | 漏源泄漏电流 | VDS=500V, VGS=0V, Tc=25℃ | 25 | - | 250 | μA |
    | VSDF | 二极管正向电压 | ISD=48A, VGS=0V | 1.4 | - | V |

    产品特点和优势


    1. 低栅极驱动需求:使得该 MOSFET 更易于驱动,减少外部电路的复杂度。
    2. 封装可靠:采用 TO-247 封装,具有良好的机械强度和散热性能。
    3. 高可靠性:100% 能承受雪崩测试,确保产品在极端条件下的稳定性。
    4. 最低的批次差异:降低了器件之间的差异,提高了系统的稳定性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    - 开关应用:适用于各种开关电源设计,可以显著提高转换效率。
    - 使用建议:
    - 确保栅极驱动信号的波形平滑,避免过高的 dV/dt 引起误触发。
    - 注意 PCB 设计中的散热路径,确保 MOSFET 在高温环境下仍能正常工作。
    - 在大电流应用中,建议并联使用多个 MOSFET 以分摊电流负荷。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该 MOSFET 可与其他标准的 TO-247 封装 MOSFET 兼容,便于更换和升级。
    - 支持服务:ISC 提供全面的技术支持和售后服务,包括应用指导和故障排查。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何选择合适的栅极驱动器?
    - 答:选择栅极驱动器时应考虑驱动电流、频率和驱动能力。建议参考 MOSFET 的驱动特性曲线来确定合适的驱动器。
    2. 问:如何解决高温下的过热问题?
    - 答:通过改进散热设计,例如增加散热片或使用更大尺寸的散热器。也可以考虑并联使用 MOSFET 来分担热负载。
    3. 问:在高频应用中,如何避免寄生振荡?
    - 答:在布局上要尽量缩短驱动线长度,采用屏蔽线以减少干扰。同时,增加门极电阻来抑制振荡。

    总结和推荐


    综上所述,FDH50N50 N-Channel MOSFET 在开关电源和电机驱动等领域表现出色。其低栅极驱动需求、可靠的封装和高性能的电气特性使其成为多种应用的理想选择。强烈推荐在需要高性能 MOSFET 的项目中使用 FDH50N50,尤其是对散热和可靠性有较高要求的应用。

FDH50N50参数

参数
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
FET类型 -
通用封装 TO-247

FDH50N50厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

FDH50N50数据手册

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ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 FDH50N50 FDH50N50数据手册

FDH50N50封装设计

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