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IPA65R600C6

产品分类:
产品描述:
供应商型号: IPA65R600C6 TO-220F
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体  IPA65R600C6

IPA65R600C6概述

    Isc N-Channel MOSFET Transistor IPA65R600C6 技术手册综述

    产品简介


    Isc N-Channel MOSFET Transistor IPA65R600C6 是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它具有低输入电容和栅极电荷的特点,能够在各种开关应用中显著减少损耗。该产品广泛应用于各种电子设备中,特别是在需要高效能和可靠性的场合。

    技术参数


    Isc IPA65R600C6 的关键技术参数如下:
    - 最大耐压:VDSS = 650V
    - 栅源电压:VGSS = ±30V
    - 连续漏极电流:ID(Tc=25℃)= 7.3A,(Tc=100℃)= 4.6A
    - 单脉冲最大漏极电流:IDM = 18A
    - 总功耗:PD(Tc=25℃)= 28W
    - 最大工作结温:Tj = 150℃
    - 存储温度范围:Tstg = -55~150℃
    - 热阻:
    - 通道到外壳热阻:Rth(ch-c) = 4.5℃/W
    - 通道到环境热阻:Rth(ch-a) = 80℃/W

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:100%的雪崩测试确保了产品的稳定性和可靠性。
    2. 低输入电容和栅极电荷:降低了开关损耗,提升了效率。
    3. 最小批次差异:确保了每个批次的产品都有稳定的性能。
    4. 快速开关能力:适合于高频应用。

    应用案例和使用建议


    - 应用场景:IPA65R600C6 广泛应用于各种电源转换器、电机驱动器和其他开关应用中。
    - 使用建议:为了保证最佳性能,在使用时应保持结温低于150℃,避免过热。同时,应注意散热设计以减小Rth(ch-a),从而提高可靠性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:Isc IPA65R600C6 可与其他标准N沟道MOSFET引脚兼容,方便更换和升级。
    - 支持:Inchange Semiconductor 提供全面的技术支持和售后服务,如有任何问题可随时联系。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:温度过高导致器件失效。
    - 解决办法:增加散热片或采用更好的散热方案,如强制风冷。
    2. 问题:输入电压超出额定值。
    - 解决办法:检查并调整外部电路,确保输入电压不超过额定值。
    3. 问题:漏电流过高。
    - 解决办法:检查是否存在短路情况,必要时更换新的器件。

    总结和推荐


    Isc IPA65R600C6 是一款高度可靠的N沟道MOSFET,具有出色的电气性能和广泛的应用场景。它在高温环境下依然表现出色,非常适合电源管理和电机控制等应用。强烈推荐用于需要高效、稳定性能的电子设备中。

IPA65R600C6厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IPA65R600C6数据手册

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IPA65R600C6封装设计

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