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BD651F

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述:
供应商型号: BD651F TO-220F
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 三极管(BJT) BD651F

BD651F概述

    INCHANGE Semiconductor BD651F 技术手册

    产品简介


    INCHANGE Semiconductor BD651F 是一款高电流增益的硅NPN达林顿功率晶体管。其主要功能包括高直流电流增益(DC Current Gain)、低饱和电压(Low Saturation Voltage),并且是BD652F的互补型号。此外,BD651F还具备最小的批次间变化性,以确保稳健的设备性能和可靠的运行。这种晶体管广泛应用于音频放大器的互补推挽输出级(AF push-pull output stage)等领域。

    技术参数


    以下是BD651F的主要技术规格和性能参数:
    - 绝对最大额定值(Ta=25℃):
    - VCBO(集电极-基极电压): 140 V
    - VCEO(集电极-发射极电压): 120 V
    - VEBO(发射极-基极电压): 5 V
    - IC(连续集电极电流): 8 A
    - ICP(峰值集电极电流): 12 A
    - IB(连续基极电流): 0.15 A
    - PC(集电极耗散功率): 20 W (Ta=25℃), 32 W (Tc=25℃)
    - TJ(结温): 150 ℃
    - Tstg(存储温度范围): -65~150 ℃
    - 热特性:
    - Rth j-c(结至壳热阻): 1.6 ℃/W
    - Rth j-a(结至环境热阻): 6.25 ℃/W
    - 电气特性(TC=25℃):
    - VCEO(SUS)(集电极-发射极击穿电压): 140 V
    - VCE(sat)-1(集电极-发射极饱和电压): 2.0 V (IC=3A, IB=12mA)
    - VCE(sat)-2(集电极-发射极饱和电压): 2.5 V (IC=5A, IB=50mA)
    - VBE(sat)(基极-发射极饱和电压): 3.0 V (IC=5A, IB=50mA)
    - VBE(on)(基极-发射极导通电压): 2.5 V (IC=3A, VCE=3V)
    - ICBO(集电极截止电流): 0.1 mA (VCB=140V, IE=0), 1.0 mA (VCB=70V, IE=0, TC=150℃)
    - ICEO(集电极截止电流): 0.2 mA (VCE=60V, IB=0)
    - IEBO(发射极截止电流): 5 mA (VEB=5V, IC=0)
    - hFE-1(直流电流增益): 1900 (IC=0.5A, VCE=3V)
    - hFE-2(直流电流增益): 750 (IC=3A, VCE=3V)
    - hFE-3(直流电流增益): 1800 (IC=8A, VCE=3V)

    产品特点和优势


    BD651F的主要优势包括:
    - 高电流增益:使得电路设计更为灵活高效。
    - 低饱和电压:提高效率并降低功耗。
    - 最小批次间变化:确保性能一致性,减少生产过程中可能出现的问题。
    - 兼容性强:作为BD652F的互补型号,可以在多种应用中配合使用。

    应用案例和使用建议


    BD651F广泛应用于音频放大器的推挽输出级。为了更好地利用这一特性,建议在设计时考虑散热措施,以避免因过热导致的损坏。例如,可以使用散热片或风扇进行散热,确保晶体管在安全的工作温度范围内运行。

    兼容性和支持


    INCHANGE Semiconductor提供了详细的技术文档和支持,包括安装指南和故障排除手册。用户可以通过官方网站 www.iscsemi.com 获取更多信息和技术支持。此外,BD651F与其他标准的NPN功率晶体管具有良好的兼容性,便于在现有设计中直接替换使用。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:晶体管出现过热现象。
    - 解决方案:增加散热片或风扇以增强散热效果,确保工作温度不超过最大允许值。
    - 问题2:电路无法正常工作。
    - 解决方案:检查接线是否正确,确认所有连接点无松动,参考技术手册中的电气特性参数,调整输入电压和电流。

    总结和推荐


    综上所述,BD651F是一款高性能、高可靠性的硅NPN达林顿功率晶体管。其高电流增益、低饱和电压和最小的批次间变化性使其在多种应用中表现出色。对于需要高可靠性、高效能的音频放大器和其他应用,推荐使用BD651F。通过适当的散热措施和正确的使用方法,用户可以充分利用该产品的优点,实现稳定高效的电路设计。

BD651F参数

参数
最大功率耗散 -
晶体管类型 -
VEBO-最大发射极基极电压 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 -
最大集电极发射极饱和电压 -
集电极截止电流 -
集电极电流 -
配置 -
VCBO-最大集电极基极电压 -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
通用封装 TO-220F

BD651F厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

BD651F数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ISC/无锡固电半导体 三极管(BJT) ISC/无锡固电半导体 BD651F BD651F数据手册

BD651F封装设计

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