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IRFR18N15D

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: IRFR18N15D DPAK/TO-252
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) IRFR18N15D

IRFR18N15D概述

    IRFR18N15D N-Channel MOSFET Transistor 技术手册解析

    产品简介


    IRFR18N15D 是一款 N 沟道 MOSFET 转换器晶体管,属于ISC半导体公司的产品线。它主要用于高频 DC-DC 转换器等高效率电源转换场合。该产品具备低导通电阻、高频率响应以及强抗雪崩能力的特点,适合各种工业和消费电子领域的电源管理应用。

    技术参数


    以下是 IRFR18N15D 的关键技术规格:
    | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | : | : | : | : | : | : |
    | VDSS | 栅极-源极电压 VGS=0V; ID=250μA 150 | V |
    | VGS(th) | 栅阈电压 VDS=VGS; ID=250μA | 3 5.5 | V |
    | RDS(on) | 导通电阻 VGS=10V; ID=11A 125 mΩ |
    | IGSS | 栅极-源极漏电流 VGS= ±30V ±0.1 | μA |
    | IDSS | 源极-漏极漏电流 VDS=150V; VGS= 0V 25 | μA |
    | VSD | 二极管正向电压 Is=11A, VGS = 0V 1.5 | V |
    此外,该产品还具有以下绝对最大额定值:
    | 参数 | 描述 | 值 | 单位 |
    | : | : | : | : |
    | VDSS | 栅极-源极电压 | 150 | V |
    | VGS | 栅极-源极电压 | ±30 | V |
    | ID | 连续漏极电流 | 18 | A |
    | IDM | 单脉冲漏极电流 | 72 | A |
    | PD | 总耗散功率 @TC=25℃ | 110 | W |
    | Tj | 最大工作结温 | 175 | ℃ |
    | Tstg | 存储温度 | -55~175 | ℃ |

    产品特点和优势


    IRFR18N15D 产品的显著特点是其静态漏源导通电阻(RDS(on))小于等于 125mΩ,这意味着在导通状态下,它能够提供非常低的导通损耗,从而提高系统的整体能效。此外,该产品通过了 100% 雪崩测试,这表明它在极端条件下也能可靠工作。这些特性使其非常适合用于要求高效能和高可靠性的工业和消费电子产品中。

    应用案例和使用建议


    根据手册提供的应用场景,IRFR18N15D 广泛应用于高频 DC-DC 转换器中。为了确保最佳性能,建议在选择驱动电路时考虑其开关速度和栅极电容匹配问题。此外,在设计散热系统时,考虑到该产品在高电流下的热特性,应确保有足够的散热措施以避免过热损坏。

    兼容性和支持


    根据手册中的描述,IRFR18N15D 可以与其他常见的 N 沟道 MOSFET 兼容。ISC 半导体公司为其产品提供了详尽的技术支持文档和在线资源,用户可以通过官方网站获取相关资料。此外,如果需要进一步的技术咨询,可以直接联系厂商的客户支持团队。

    常见问题与解决方案


    根据手册中的常见问题列表,下面列举几个用户可能遇到的问题及对应的解决方案:
    1. Q:如何确定 RDS(on) 是否合适?
    - A: 参考手册中的电气特性表,确认 RDS(on) 在典型工作条件下的值,如果发现数值过高,则需要考虑更换其他型号。
    2. Q:如何防止漏电流过大导致器件失效?
    - A: 在设计电路时,应确保电路的布局合理,避免过高的电流导致器件烧毁。此外,定期进行电气测试以确保器件正常工作。
    3. Q:在极端温度下如何保护器件?
    - A: 确保在产品的工作温度范围内使用,并在高温环境下采取有效的散热措施。手册中详细列出了存储温度范围和最高工作温度。

    总结和推荐


    综上所述,IRFR18N15D N-Channel MOSFET 转换器晶体管是一款性能卓越且可靠性高的电子元器件。它凭借其低导通电阻和优秀的抗雪崩能力,在高频 DC-DC 转换器等领域有着广泛的应用前景。因此,我们强烈推荐使用此产品来满足各种高性能电源管理需求。

IRFR18N15D参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -

IRFR18N15D厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IRFR18N15D数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 IRFR18N15D IRFR18N15D数据手册

IRFR18N15D封装设计

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