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IRL520NS

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: IRL520NS D??PAK/TO-263
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) IRL520NS

IRL520NS概述

    IRL520N N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRL520N 是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,专为开关应用设计。它具有低输入电容和栅极电荷的特点,适合用于高频切换场合。此外,该产品通过了100%雪崩测试,确保了其在极端条件下的稳定性和可靠性。主要应用领域包括但不限于电源管理、电机驱动和汽车电子系统。

    技术参数


    | 符号 | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VDSS | 漏源击穿电压 100 | V |
    | VGS(th) | 栅极阈值电压 | 1.0 2.0 | V |
    | RDS(on) | 漏源导通电阻 180 mΩ |
    | BVDSS | 漏源击穿电压(VGS=0V;ID=0.25mA) 100 | V |
    | IGSS | 栅极-源极漏电流(VGS=±16V;VDS=0V) ±0.1 | μA |
    | IDSS | 漏源漏电流(VDS=100V;VGS=0V;Tj=25℃) 25 | μA |
    | VSDF | 二极管正向电压(ISD=6.0A,VGS=0V) 1.3 | V |
    绝对最大额定值:
    - 漏源电压(VDSS):100 V
    - 栅源电压(VGSS):±16 V
    - 连续漏极电流(ID):25℃时 10 A;100℃时 7.1 A
    - 单脉冲漏极电流(IDM):35 A
    - 总耗散功率(PD):25℃时 48 W
    - 最大结温(Tch):175 ℃
    - 存储温度范围(Tstg):-55~175 ℃
    热特性:
    - 栅极到散热片热阻(Rth(ch-c)):3.1 ℃/W
    - 栅极到环境热阻(Rth(ch-a)):40 ℃/W

    产品特点和优势


    1. 低输入电容和栅极电荷:这使得IRL520N在高频开关应用中表现优异。
    2. 100%雪崩测试:确保其在极端条件下依然稳定可靠。
    3. 低栅极输入电阻:方便快速充电和放电,降低损耗。
    4. 最小批次间差异:提高产品的稳健性和一致性。

    应用案例和使用建议


    IRL520N常用于DC-DC转换器和电机驱动器。例如,在一个典型的DC-DC转换器中,IRL520N可以作为主开关晶体管,配合电感和滤波电容实现高效的电源转换。
    使用建议:
    - 确保栅极驱动电路具备足够的电流能力以避免误触发。
    - 选择合适的散热器来优化散热效果,以防止过热。
    - 在安装过程中注意静电防护措施,避免静电损坏。

    兼容性和支持


    IRL520N采用To-263(D2PAK)封装,与大多数标准MOSFET封装兼容。制造商提供全面的技术支持和详尽的文档,包括设计指南和应用笔记。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:无法启动
    - 解决方案:检查电源电压和驱动电路是否正常工作。
    2. 问题:温度过高
    - 解决方案:检查散热设计,适当增加散热片或优化散热路径。
    3. 问题:噪音或电磁干扰
    - 解决方案:增加EMI滤波器,减少外部干扰。

    总结和推荐


    IRL520N是一款高性能的N沟道MOSFET,适用于多种工业和汽车电子应用。其低输入电容和栅极电荷、高可靠性及广泛的应用领域使其在市场上具有较强的竞争力。总体而言,IRL520N是电源管理和开关应用的理想选择,推荐在相关项目中使用。

IRL520NS参数

参数
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -

IRL520NS厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IRL520NS数据手册

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ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 IRL520NS IRL520NS数据手册

IRL520NS封装设计

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