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IRFS4321

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: IRFS4321 D??PAK/TO-263
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) IRFS4321

IRFS4321概述

    Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFS4321 技术手册

    1. 产品简介


    Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFS4321 是一款适用于多种开关应用的高性能场效应晶体管。该产品具有低输入电容和栅极电荷、低栅极输入电阻等特点。此外,IRFS4321 在-55°C 至 175°C 的宽温度范围内均能可靠运行,并经过100%的雪崩测试,以确保其稳定性和可靠性。这种N沟道MOSFET广泛应用于电源管理和电机控制等领域。

    2. 技术参数


    | 参数符号 | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VDSS | 漏源电压 150 | V |
    | VGSS | 栅源电压 | ±25 | ±30 V |
    | ID | 持续漏极电流 83/59 | A |
    | IDM | 单脉冲漏极电流 330 | A |
    | PD | 总耗散功率 300 | W |
    | Tch | 最大结温 175 | °C |
    | Tstg | 存储温度 | -55 175 | °C |
    | 参数符号 | 参数名称 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | Rth(ch-c)| 管芯到外壳热阻 | 0.45 | °C/W |
    | Rth(ch-a)| 管芯到环境热阻 | 40 | °C/W |
    | 参数符号 | 参数名称 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | BVDSS | 漏源击穿电压 | VGS=0V; ID= 0.25mA 150 | V |
    | VGS(th) | 栅阈值电压 | VDS=VGS; ID=0.25mA | 3.0 | 5.0 V |
    | RDS(on) | 导通电阻 | VGS= 10V; ID=33A 12-15 | mΩ |
    | IGSS | 栅源漏电流 | VGS= ±20V;VDS=0V | ±0.1 μA |
    | IDSS | 漏源漏电流 | VDS=150V; VGS= 0V;Tj=25℃ 20 | μA |
    | VSDF | 二极管正向电压 | ISD=50A, VGS = 0 V 1.3 | V |

    3. 产品特点和优势


    IRFS4321 MOSFET 具备低输入电容和栅极电荷特性,使得驱动更加容易且效率更高。其低栅极输入电阻可以有效减少栅极驱动电路的复杂度。100% 雪崩测试确保其在极端条件下依然能稳定工作。此外,产品具备极小的批次差异,保证了器件的一致性和可靠性。适用于多种电力转换和控制应用,如电机控制、开关电源、LED驱动等。

    4. 应用案例和使用建议


    IRFS4321 可广泛应用于各种电力电子设备中,例如用于电源管理系统的高压直流转换器。使用时应注意散热设计,特别是高电流工作时,必须合理设计散热片以保持正常工作温度。对于高频开关应用,注意选择合适的门极电阻以避免振荡。此外,在进行系统集成时,还需考虑电磁干扰(EMI)的影响,可采用屏蔽措施以提高整体系统性能。

    5. 兼容性和支持


    该产品支持常见的封装形式如 TO-263 (D2PAK),易于与其他标准电子元件配合使用。ISC公司提供详尽的技术文档及客户支持服务,确保客户能够顺利完成项目实施。针对特殊需求,客户也可以联系制造商定制化生产。

    6. 常见问题与解决方案


    1. Q: 漏源电压超出最大额定值怎么办?
    - A: 立即切断电源,检查电路设计是否有误,必要时增加外部保护措施如瞬态电压抑制器(TVS)。
    2. Q: 为什么导通电阻随温度升高而变化?
    - A: 这是由于半导体材料本身的性质决定的。可以通过增加散热来降低工作温度,从而改善导通电阻的表现。
    3. Q: 如何确保良好的热管理?
    - A: 使用合适的散热器,并确保良好的热接触,可能需要添加热界面材料(TIM)以提高导热效率。

    7. 总结和推荐


    Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFS4321 是一款出色的功率MOSFET,凭借其卓越的性能指标和广泛的适用范围,在众多电力电子应用中表现出色。其高可靠性、紧凑封装和优良的热管理能力使其成为电源管理和电机控制领域的理想选择。强烈推荐给寻求高效、可靠的电力转换解决方案的工程师们。

IRFS4321参数

参数
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -

IRFS4321厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IRFS4321数据手册

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ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 IRFS4321 IRFS4321数据手册

IRFS4321封装设计

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