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IRLR120N

产品分类:
产品描述: N-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: IRLR120N DPAK/TO-252
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体  IRLR120N

IRLR120N概述

    电子元器件产品技术手册解析

    1. 产品简介


    IRLR120N 和 IIRLR120N 是由ISC(ISC半导体有限公司)生产的N沟道MOSFET晶体管。该系列MOSFET晶体管主要适用于电源管理和电机驱动等领域,具有低导通电阻、快速开关能力和高可靠性等优点。

    2. 技术参数


    以下是IRLR120N和IIRLR120N的技术规格:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 | 100 | - | - | V |
    | 栅源电压 | ±16 | - | - | V |
    | 持续漏极电流 | - | - | 10 | A |
    | 单脉冲峰值漏极电流 | - | - | 35 | A |
    | 总耗散功率@TC=25℃ | - | - | 48 | W |
    | 最大工作结温 | - | - | 175 | ℃ |
    | 储存温度范围 | -55 | - | 175 | ℃ |
    | 栅源漏极击穿电压 | 100 | - | - | V |
    | 栅阈电压 | 1 | 2 | - | V |
    | 导通电阻 | 185 | - | - | mΩ |
    | 栅源漏极泄漏电流 | -0.1 | - | 0.1 | μA |
    | 源漏极泄漏电流 | - | - | 25 | μA |
    | 二极管正向电压 | - | - | 1.3 | V |

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:典型值为185mΩ,使得器件能够高效运行。
    - 增强模式:提供稳定的开启电压,适合各类电源管理应用。
    - 耐受能力强:100%进行雪崩测试,确保在极端条件下的稳定运行。
    - 批次一致性高:最大限度减少批次之间的差异,保证产品性能一致。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:适用于电源转换器、电机驱动器和汽车电子系统等应用。
    - 使用建议:
    - 确保栅源电压不超过±16V,避免过压损坏。
    - 在高温环境下使用时,应注意散热措施以确保正常工作。


    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品可以与多种常见的电源管理和电机驱动电路兼容。
    - 支持和维护:ISC提供详尽的技术文档和支持服务,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:工作时温度过高导致器件损坏。
    - 解决办法:使用外部散热器或风扇加强散热,确保工作环境温度不超出最大允许值。

    7. 总结和推荐


    总结:IRLR120N 和 IIRLR120N 的低导通电阻和增强模式特性使其成为高效的电源管理解决方案。同时,其耐受能力强和一致性高,使得其在工业和汽车应用中表现优异。
    推荐:强烈推荐在需要高效能、高可靠性的电源管理和电机驱动应用中使用此产品。对于需要长期稳定运行的应用场景,这些MOSFET将是理想的选择。

IRLR120N厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IRLR120N数据手册

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ISC/无锡固电半导体 ISC/无锡固电半导体 IRLR120N IRLR120N数据手册

IRLR120N封装设计

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