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IPP60R199CP

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: IPP60R199CP TO-220
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) IPP60R199CP

IPP60R199CP概述


    产品简介


    IPP60R199CP N-Channel MOSFET Transistor
    IPP60R199CP 是一款高性能的N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),主要应用于电源管理、电机驱动和高频开关等领域。这款MOSFET以其低导通电阻(RDS(on))、快速开关速度和高可靠性而著称,特别适用于需要高效能、高电流处理能力和耐用性的应用场合。

    技术参数


    - 绝对最大额定值 (Ta=25℃)
    - VDSS: 漏源电压 - 600 V
    - VGS: 栅源电压 - ±20 V
    - ID: 连续漏极电流 - 16 A
    - IDM: 单脉冲漏极电流 - 51 A
    - PD: 总耗散功率 @ TC=25℃ - 139 W
    - Tj: 最大工作结温 - 150 ℃
    - Tstg: 存储温度 - -55~150 ℃
    - 热特性
    - Rth(ch-c): 漏极到外壳的热阻 - 0.9 ℃/W
    - Rth(ch-a): 漏极到环境的热阻 - 62 ℃/W
    - 电气特性
    - BVDSS: 漏源击穿电压 (VGS=0V; ID =0.25mA) - 600 V
    - VGS(th): 栅阈电压 (VDS=VGS; ID =0.66mA) - 2.5 ~ 3.5 V
    - RDS(on): 导通电阻 (VGS=10V; ID=9.9A) - ≤0.199 Ω
    - IGSS: 栅源漏电流 (VGS=20V; VDS=0V) - ≤0.1 μA
    - IDSS: 漏源漏电流 (VDS=600V; VGS= 0V) - ≤1 μA
    - VSD: 二极管正向电压 (IF=9.9A; VGS = 0V) - 1.2 V

    产品特点和优势


    IPP60R199CP 的核心优势包括:
    - 超低导通电阻 (≤0.199Ω):使得MOSFET在开关过程中具有更低的损耗,从而提高整体系统的效率。
    - 高峰值电流能力:可承受高达51A的单脉冲漏极电流,适合高电流需求的应用。
    - 快速开关速度:加快了电路的响应速度,减少了延迟时间。
    - 增强模式操作:简单可靠的控制,减少了对复杂驱动电路的需求。
    - 100%雪崩测试:确保了产品的可靠性和稳定性。
    - 极小的批次间差异:保证了产品质量的一致性。

    应用案例和使用建议


    IPP60R199CP 在许多应用中都有出色的表现,例如电源转换器、电机驱动器和开关稳压器等。根据手册中的应用案例,我们可以推断出该产品非常适合高频率和高电流密度的应用环境。使用时需要注意散热设计,以确保其在高温环境下稳定运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IPP60R199CP 通常与各类标准控制器和驱动器兼容,具体兼容性请参考厂商提供的详细资料。
    - 支持:制造商提供了全面的技术支持和服务,包括产品文档、设计指南和技术咨询等。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何选择合适的散热器?
    - A: 根据产品手册中的热特性数据,选择合适的散热器,以确保MOSFET在高温环境下正常工作。

    - Q: 如何降低开关损耗?
    - A: 确保正确的驱动电路设计,使用低导通电阻的MOSFET,并优化布局以减少寄生电感。

    总结和推荐


    总体来说,IPP60R199CP 是一款性能卓越的N沟道MOSFET,具有低导通电阻、高电流能力和可靠的性能。它的独特特点使其成为各种电力电子应用的理想选择。我们强烈推荐使用此产品,尤其是在高效率和高可靠性要求较高的应用场景中。

IPP60R199CP参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -
最大功率耗散 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
通用封装 TO-220

IPP60R199CP厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IPP60R199CP数据手册

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ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 IPP60R199CP IPP60R199CP数据手册

IPP60R199CP封装设计

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