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IPW65R190CFD

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: IPW65R190CFD TO-247
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) IPW65R190CFD

IPW65R190CFD概述


    产品简介


    IPW65R190CFD 是一款由ISC半导体公司生产的N沟道功率MOSFET晶体管,广泛应用于各种电源转换和电机控制场合。该产品以其低导通电阻(RDS(on) ≤ 190mΩ)和快速开关特性著称,能够满足高效率和高性能的要求。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDSS): 650 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 持续漏电流 (ID): 17.5 A
    - 单脉冲峰值漏电流 (IDM): 57.2 A
    - 最大耗散功率 (@TC=25℃): 151 W
    - 最大工作结温 (Tj): 150 ℃
    - 存储温度范围 (Tstg): -55 ~ 150 ℃
    - 热特性
    - 结到壳热阻 (Rth(j-c)): 0.83 ℃/W
    - 结到环境热阻 (Rth(j-a)): 62 ℃/W
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压 (BVDSS): 650 V (VGS=0V; ID=1mA)
    - 栅阈电压 (VGS(th)): 3.5 ~ 4.5 V (VDS=VGS; ID=0.7mA)
    - 导通电阻 (RDS(on)): 190 mΩ (VGS=10V; ID=7.3 A)
    - 栅漏泄漏电流 (IGSS): 0.1 mA (VGS=20V; VDS=0V)
    - 漏源泄漏电流 (IDSS): 1 μA (VDS=650V; VGS=0V)

    产品特点和优势


    IPW65R190CFD 具有以下特点和优势:
    - 高达 650V 的漏源击穿电压,适用于多种高压环境。
    - 低至 190mΩ 的导通电阻,确保了高效率的电力转换。
    - 快速开关特性,减少了损耗,提高了系统的整体性能。
    - 100% 电雪崩测试,保证了产品可靠性。
    - 最小的批次间差异,提高了产品的稳定性和可重复性。

    应用案例和使用建议


    IPW65R190CFD 广泛应用于诸如电源转换器、电机驱动器、太阳能逆变器等领域。例如,在电源转换器中,IPW65R190CFD 可以作为主开关管,提供高效率的电力转换。在电机驱动器中,它可以作为半桥或全桥配置的一部分,实现高效和精确的电机控制。
    为了更好地发挥IPW65R190CFD的优势,建议:
    - 在设计电路时,注意散热措施,确保结温不超过最大允许值。
    - 选择合适的栅极驱动电路,以充分利用其快速开关特性。

    兼容性和支持


    IPW65R190CFD 与其他标准的N沟道MOSFET引脚兼容,因此可以方便地替换现有设计中的其他品牌产品。ISC半导体公司提供了详尽的技术支持文档,包括应用指南和常见问题解答,帮助客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何避免IPW65R190CFD因过热而损坏?
    - 答:确保良好的散热设计,使用散热器或者液冷系统。监控电路的温度,如果温度过高,及时采取降额运行或其他保护措施。
    2. 问:如何正确选择栅极驱动器?
    - 答:选择合适的栅极驱动器以提供足够的驱动电流和适当的电压水平,避免因驱动不足导致的开关损耗增加。

    总结和推荐


    综上所述,IPW65R190CFD凭借其出色的性能和可靠性,成为高效率电力转换和电机控制领域的理想选择。我们强烈推荐此产品用于需要高效率和高性能的应用场合。

IPW65R190CFD参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 TO-247

IPW65R190CFD厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IPW65R190CFD数据手册

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ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 IPW65R190CFD IPW65R190CFD数据手册

IPW65R190CFD封装设计

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